[发明专利]在金属和多晶硅化学机械研磨中减少大图案凹陷的方法有效
| 申请号： | 200610027371.4 | 申请日： | 2006-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN101086965A | 公开（公告）日： | 2007-12-12 |
| 发明（设计）人： | 蒋莉;邹陆军;李绍彬;许丹 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/302 | 分类号： | H01L21/302;H01L21/321 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 李勇 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属 多晶 化学 机械 研磨 减少 图案 凹陷 方法 | ||
【权利要求书】：
1、一种在金属和多晶硅化学机械研磨中减少大图案凹陷的方法，其特征在于包括下列步骤：
1)在需要研磨的晶片上涂覆光刻胶，曝光显影，使大图案区域被光刻胶覆盖，露出其余区域；
2)对露出的区域进行回蚀刻，留下所述露出的区域；
3)剥离所述光刻胶，对晶片进行修饰性化学机械研磨，结束后使晶片进入后续制程，其中，所述修饰性化学机械研磨的条件控制为：研磨台的转速为30转每分钟到70转每分钟之间，研磨头的转速为30转每分钟到70转每分钟之间，研磨头的压力为1.0磅每平方英寸到3.5磅每平方英寸之间。
2、如权利要求1所述的方法，其中步骤2)中回蚀刻的方法是干性蚀刻，对于金属蚀刻，所用蚀刻气体为六氟化硫SF6；对于多晶硅蚀刻，所用蚀刻气体为氯气Cl2或溴化氢HBr。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
