[发明专利]一种采用共溅射沉积法制备碲化铋合金薄膜的方法

权利要求书

1.一种采用共溅射沉积法制备碲化铋合金薄膜的方法，在磁控溅射仪上实施，其特征在于：将高纯碲片作贴片靶，用导电胶粘贴于高纯铋标准靶上，以此复合靶作为溅射靶材进行共同溅射；高纯碲片为园形，直径为标准靶材半径的30-50％，数量3-6片，均布于标准靶上；以单晶硅片作为薄膜衬底，置于溅射靶台对面；其工艺参数为：本底真空度高于1.0×10^-3Pa、工作氩气压力0.2-3Pa、靶基距4-10cm、基片台旋转每分钟5-15圈、薄膜衬底温度100-300℃、溅射电源功率20-100W、退火温度200-300℃、退火时间0.5-2小时。

2.根据权利要求1所述的采用共溅射沉积法制备碲化铋合金薄膜的方法，其特征在于：高纯碲片为方形，边长为标准靶材半径的30-50％，数量3-6片，均布于标准靶上。

3.根据权利要求1所述的采用共溅射沉积法制备碲化铋合金薄膜的方法，其特征在于：用高纯碲片作标准靶，用高纯铋片作贴片靶。

4.根据权利要求1或3所述的采用共溅射沉积法制备碲化铋合金薄膜的方法，其特征在于：以石英片或玻璃片作为薄膜衬底。