[发明专利]一种用于去除集成电路光刻胶的清洗液

说明书

(一)技术领域

本发明涉及一种半导体晶片的清洗液，特别是一种用于去除集成电路光刻胶的清洗液。

(二)背景技术

在集成电路加工过程中，需要使用光刻胶，加工过程完成后，再将光刻胶去除。集成电路光刻胶的去除，通常先进行等离子灰化，然后再采用湿式清洗，以便清除由于等离子灰化产生的有机物和聚合物残留。目前湿式清洗使用的清洗液有两种：SPM和SPM。SPM清洗液是硫酸和过氧化氢的混合物；APM清洗液是氢氧化铵、过氧化氢和水的混合物。清洗设备一般采用批处理沉浸设备或批处理喷雾设备；采用上述设备清洗时，清洗液通常经过过滤后循环使用。随着半导体技术的飞速发展，在适应器件设计的多变性、低成本和无环境污染等方面，对清洗液提出了更高的要求。以半导体器件为例，在设计65纳米及其以下节点的集成电路时，需要更薄的栅介电层，目前正朝着高介电材料的方向发展，这就要求更高的清洗效果，特别是极少的的金属离子污染物。而传统的清洗液，无论是SPM清洗液还是APM清洗液，都含有金属离子，它们对新式栅结构的电学性能有负面影响，清洗后金属离子污染物的含量，远远达不到标准的要求；同时传统的清洗液还会造成较多的氧化物损失和硅损失。此外，由于清洗液经过滤后循环使用，从开始使用到被替换时其组分在不断变化，对清洗效果和器件电学性能均会产生不利影响。传统的清洗液在去除集成电路光刻胶的清洗中，消耗水量极大，其含有的化学试剂成分会造成环境污染。

(三)发明内容

本发明的目的是针对上述传统清洗液的缺点，提供一种具有高性能、不含金属离子、无污染和良好清洗效果的用于去除集成电路光刻胶的清洗液

本发明的技术方案：

一种用于去除集成电路光刻胶的清洗液，其特征在于：由复合型螯合剂、双氧水和去离子水组成；各种成分所占重量百分比为：复合型螯合剂5～10％；双氧水3～8％；去离子水为余量。

本发明所述复合型螯合剂为羟胺和醇胺的混合物；其混合比例为(2～10)∶1。

本发明所述双氧水的浓度为3～30％。

本发明的优点是：1、该清洗液使用的螯合剂不含金属离子，不会造成金属离子污染，而对金属离子有较强的去除功能；2、减少了氧化物损失和硅损失；3、清洗液成分稳定，确保良好的清洗效果4、降低水耗，有利于环保；5、工艺简单，成本低。

(四)具体实施方式

实施例1：

一种用于去除集成电路光刻胶的清洗液，由乙羟基乙二胺与三乙醇胺混合而成的复合型螯合剂、浓度为10％的双氧水和去离子水组成；各种成分所占重量百分比：复合型螯合剂占8％；双氧水6％；去离子水为余量；复合型螯合剂中，乙羟基乙二胺与三乙醇胺混合比例为4∶1。使用该清洗液去除集成电路光刻胶，清洗效果良好。

实施例2：

一种用于去除集成电路光刻胶的清洗液，由四羟基乙基乙二胺与二乙醇胺混合而成的复合型螯合剂，浓度为15％的双氧水和去离子水组成；各种成分所占重量百分比：复合型螯合剂5％；双氧水8％；去离子水为余量；复合型螯合剂中，四羟基乙基乙二胺与二乙醇胺混合比例为8∶1。使用该清洗液去除集成电路光刻胶，清洗效果良好。