[发明专利]一维光子晶体调制的量子级联激光器管芯结构及制造方法

权利要求书

1.一种一维光子晶体调制的量子级联激光器管芯结构的制作方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：

1)在磷化铟衬底上采用分子束外延的方法依次生长下覆盖层、有源层、上覆盖层、波导层、接触层；

2)采用曝光和干法刻蚀技术，将衬底上生长的材料两侧刻蚀，形成断面为倒T型的脊形结构；同时在衬底上生长的材料所形成的脊形结构的一端纵向刻蚀出空气介质与激光器材料介质的多个重复周期的结构，形成一维光子晶体结构和量子级联激光器谐振腔；

3)在衬底的上表面和衬底上生长的材料表面及两侧淀积一层隔离层；

4)采用光刻和化学腐蚀的方法，在量子级联激光器谐振腔上的隔离层中间形成一电流注入窗口；

5)在管芯结构的上表面生长上欧姆接触层，该上欧姆接触层覆盖电流注入窗口；

6)采用化学方法将一维光子晶体结构的上欧姆接触层腐蚀掉；

7)将衬底减薄；

8)在衬底的背面生长下欧姆接触层；

9)解理，完成管芯的制作；

其中量子级联激光器谐振腔的断面结构包括：一下覆盖层，该下覆盖层生长在衬底上；一有源层，该有源层生长在下覆盖层上；一上覆盖层，该上覆盖层生长在有源层上；一波导层，该波导层生长在上覆盖层上；一接触层，该接触层生长在波导层上；一隔离层，该隔离层淀积在接触层上和衬底上，并且覆盖了下覆盖层、有源层、上覆盖层、波导层、接触层的两侧侧面；该隔离层的中间纵向开有一电流注入窗口；一上欧姆接触层，该上欧姆接触层蒸镀在隔离层上，并覆盖住电流注入窗口；

一维光子晶体结构的断面结构包括：一下覆盖层，该下覆盖层生长在衬底上；一有源层，该有源层生长在下覆盖层上；一上覆盖层，该上覆盖层生长在有源层上；一波导层，该波导层生长在上覆盖层上；一接触层，该接触层生长在波导层上；一隔离层，该隔离层淀积在接触层上和衬底上，并且覆盖了下覆盖层、有源层、上覆盖层、波导层、接触层的两侧侧面。