[发明专利]半导体晶片清洁系统无效
| 申请号: | 200580049424.6 | 申请日: | 2005-04-11 |
| 公开(公告)号: | CN101180711A | 公开(公告)日: | 2008-05-14 |
| 发明(设计)人: | 尹镇老;金振泰 | 申请(专利权)人: | 斗山MECATEC株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304 |
| 代理公司: | 北京润平知识产权代理有限公司 | 代理人: | 周建秋;王凤桐 |
| 地址: | 韩国庆*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 半导体 晶片 清洁 系统 | ||
1.一种半导体晶片清洁系统,包括:
预清洁站,所述预清洁站通过预先在晶片上喷射去离子水而去除晶片上的颗粒;
第一清洁站,所述第一清洁站通过摩擦旋转与晶片前后面接触的一对刷子以及通过独立设置的化学物喷射器将化学物喷射在晶片上,来第一次清洁残余的颗粒;
第一冲洗站,所述第一冲洗站通过在第一清洁站第一次清洁的晶片上喷射清洁液体进行冲洗;
第二清洁站,所述第二清洁站利用与第一清洁站相同的结构和方式,通过独立设置的化学物喷射器将化学物喷射到在第一冲洗站第一次冲洗清洁的晶片上,来第二次清洁晶片前后面残余的颗粒;
第二冲洗站,所述第二冲洗站通过在第二清洁站第二次清洁的晶片上喷射清洁液体进行冲洗;以及
干燥站,所述干燥站利用通过高速旋转第二冲洗站冲洗的晶片产生的离心力来干燥残余的清洁液体。
2.根据权利要求1所述的半导体晶片清洁系统,
其中第一冲洗站还包括方向改变和传送装置,与第一次清洁的晶片进入第一冲洗站的进入方向相比,将进入下一过程的第一次清洁的晶片的运动方向改变90度,并将第一次清洁的晶片传送到下一工艺过程中。
3.根据权利要求2所述的半导体晶片清洁系统,
其中所述方向改变和传送装置包括:上升和下降板,所述上升和下降板是垂直设置的并通过一线性运动装置上升和下降;多个辊支架,所述辊支架彼此间以固定间隙平行地垂直固定在上升和下降板的一个侧壁上,并设置在传送输送器之间用于传送来自前面过程的晶片,而不形成辊支架和传送输送器之间的干扰;以及多个方向改变和传送辊,所述方向改变和传送辊的支撑方式是所述方向改变和传送辊分别设置在辊支架内部,从而方向改变和传送辊两端在上升和下降板的一个侧壁与辊支架一个末端之间可以旋转。
4.根据权利要求1所述的半导体晶片清洁系统,
其中所述预清洁站包括:晶片抓持和旋转装置;以及去离子水喷射器,所述去离子水喷射器装在晶片上方,在供应高压去离子水时通过以水帘形状喷射去离子水而主要去除大颗粒;
并且所述晶片抓持和旋转装置包括:支撑板,所述支撑板中沿垂直方向形成上升和下降引导轨;上升和下降板,所述上升和下降板与上升和下降引导轨结合,以便由上升和下降引导轨引导;缸体,所述缸体可以垂直伸出和缩回,使上升和下降板上升和下降;以及多个引导辊,所述引导辊由一个或多个驱动源驱动同时旋转,在抓持晶片后使其旋转,并与上升和下降板一起上升和下降,以便在装载和卸载晶片时不干扰晶片。
5.根据权利要求1所述的半导体晶片清洁系统,
其中所述第一清洁站和第二清洁站分别包括:一对刷子,所述刷子通过接触晶片的两个表面来清洁晶片,所述刷子由湿润海绵制成,在刷子空闲时仅经过供应去离子水的流动通道能在供应去离子水时进行湿润处理;以及化学物喷射器,所述化学物喷射器对称地朝向晶片两个侧面设置,并能仅仅流过化学物并喷射化学物。
6.根据权利要求1所述的半导体晶片清洁系统,
其中所述干燥站包括:中心旋转轴,所述中心旋转轴向上延伸,并能在设置于其底部的驱动装置传递的动力下旋转;5个切口,所述切口在中心旋转轴顶部在其外周边等距离地沿其纵向形成;操纵杆,所述操纵杆分别沿径向伸出5个切口,并具有相同距离,能分别沿切口上下运动;指臂,所述指臂是垂直安装的,安装方式是每个指臂通过铰接销以可旋转的状态连接在每个操纵杆一端,从而每个指臂在每个操纵杆运动时与每个操纵杆配合在一起;抓持指,所述抓持指在指臂顶部分别与指臂形成整体,每个抓持指具有能接收晶片边缘的槽;连接件,所述连接件处于指臂的铰接销顶部与抓持指之间,并且在连接件中,中心轴销连接到支承板,在装入晶片时用于支撑晶片,并且起到枢轴的功能,进行指臂与抓持指之间的相对摆动。
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