[发明专利]咔唑衍生物，和使用该咔唑衍生物的发光元件和发光装置

说明书

技术领域

[0001]

本发明涉及咔唑衍生物。本发明涉及具有一对电极和包含发光物质的层的发光元件，当向其施加电压时，该发光元件提供发光。此外，本发明涉及具有这种发光元件的发光装置。

背景技术

[0002]

使用发光材料的发光元件具有一些特征，如薄且轻、反应灵敏、低的直流电压驱动，期望将其用于下一代的平板显示器。此外，据说其中将发光元件设置在基体中的发光装置在视角和可见度方面优于常规的液晶显示器。

[0003]

认为发光元件具有以下发光机理：将电压施加到夹在一对电极之间的发光层上，从阴极注入的电子和从阳极注入的空穴在该发光层的发光中心重组以形成分子激发子，然后当该分子激发子回到基态时通过释放能量发射光。作为激发态，单激发态和三激发态是已知的，并且认为可以通过任一种激发态发射光。

[0004]

这种发光元件在材料方面存在问题。为了增强这种发光元件的特性，已经进行了元件结构的改进、材料的开发等等。

[0005]

作为用于包含发光物质的层的材料的例子，给出了具有优异的光电导性的带有咔唑骨架(咔唑衍生物)的材料。具体来说，给出了1，3，5-[4-(N-咔唑基)苯基]苯(TCBP)(参考文献1：日本专利号3210481)。

[0006]

已经提出TCBP作为用于形成空穴迁移层的材料。然而，大多数具有咔唑骨架的材料显示高的电离电势，并且具有差的从电极注入的空穴注入性能。

[0007]

另一方面，作为通常用作空穴注入或空穴迁移材料的材料，例如，给出了4，4′-二(N-{4-[N，N-二(3-甲基苯基)氨基]苯基}-N-苯基氨基)联苯(DNTPD)(参考文献2：日本专利特许公开号H9-301934)。

[0008]

DNTPD在空穴注入性能方面是优越的，因为其电离电势较小。此外，DNTPD还具有空穴迁移性能并且通常用于发光元件的空穴注入层或空穴迁移层。然而，因为DNTPD不显示有利的性能，需要具有更优异性能的材料。

发明内容

[0009]

鉴于上述问题，本发明的目的是提供具有优异的空穴注入性能和优异的空穴迁移性能的材料。此外，本发明的另一个目的是提供使用具有优异的空穴注入性能和优异的空穴迁移性能的材料的发光元件和发光装置。

[0010]

本发明人已经发现，由通式(1)表示的咔唑衍生物显示优异的空穴注入性能和优异的空穴迁移性能。

[0011]

因此，本发明提供由通式(1)表示的咔唑衍生物。

[0012]

其中R¹¹和R¹³各自相同或不同，并且表示氢、含1-6个碳原子的烷基、含6-25个碳原子的芳基、含5-9个碳原子的杂芳基、芳烷基或含1-7个碳原子的酰基；Ar¹¹表示含6-25个碳原子的芳基或含5-9个碳原子的杂芳基；R¹²表示氢、含1-6个碳原子的烷基、或含6-12个碳原子的芳基；R¹⁴表示氢、含1-6个碳原子的烷基、含6-12个碳原子的芳基、或由通式(2)表示的取代基；在由通式(2)表示的取代基中，R¹⁵表示氢、含1-6个碳原子的烷基、含6-25个碳原子的芳基、含5-9个碳原子的杂芳基、芳烷基或含1-7个碳原子的酰基；Ar¹²表示含6-25个碳原子的芳基或含5-9个碳原子的杂芳基；R¹⁶表示氢、含1-6个碳原子的烷基、或含6-12个碳原子的芳基。

[0013]

[0014]

在通式(1)中，R¹¹或R¹³优选表示含6-25个碳原子的芳基、或含5-9个碳原子的杂芳基。更优选，R¹¹和R¹³是含6-25个碳原子的芳基，或含5-9个碳原子的杂芳基。与咔唑骨架的氮键接的取代基使用含6-25个碳原子的芳基或含5-9个碳原子的杂芳基，因此，可以获得载流子迁移性能提高的效果。

[0015]

此外，在通式(1)中，R¹²优选表示氢、叔丁基、苯基或联苯基。

[0016]

此外，在通式(1)中，R¹⁴优选表示氢、叔丁基、苯基或联苯基。

[0017]