[发明专利]多孔低K介电膜的紫外辅助孔密封

权利要求书

1.一种用于密封位于基体之上的多孔低k介电材料的方法，包括：

将多孔低k介电材料的表面暴露于紫外辐射图形，其时间、强度和波 长将该多孔低k材料的表面有效密封到小于或等于20纳米的深度，其中 该表面基本不含开口孔，其中将多孔低k介电材料暴露于紫外辐射图形， 其时间、强度和波长将该多孔低k材料的表面有效密封到等于平均孔径的 深度。

2.如权利要求1的方法，其中紫外辐射图形包括小于400nm的宽频 带波长。

3.如权利要求1的方法，其中紫外辐射图形包括100～400纳米之间 的宽频带波长。

4.如权利要求1的方法，其中将多孔低k介电材料的表面暴露于紫 外辐射图形一定时间、强度和波长是在反应性吹扫环境中进行的。

5.如权利要求1的方法，其中将多孔低k介电材料的表面暴露于紫 外辐射图形是在N₂、H₂、Ar、He、Ne、H₂O蒸汽、NH₃、CO、CO₂、 O₂、O₃、C_xH_y、C_xF_y、C_xH_zF_y及其混合物的气氛中进行的，其中x为1～ 6的整数，y为4～14的整数，z为1～14的整数。

6.如权利要求1的方法，其中将多孔低k介电材料暴露于紫外辐射 图形，其时间、强度和波长有效将该多孔低k材料的表面密封到小于或等 于10纳米的深度。

7.一种制备电互联结构的方法，包括：

将位于基体上的多孔低k介电材料形成图形；

将多孔低k介电材料的薄膜暴露于仅由紫外辐射组成的辐射，其时 间、强度和波长图形将该多孔低k材料的表面有效密封到小于或等于20 纳米的深度，其中该表面基本不含开口孔；以及

在形成图形的多孔低k介电材料上沉积阻挡层和/或导电层，其中该 阻挡层基本不含针孔。

8.如权利要求7的方法，进一步包含在沉积导电层之前，在多孔低k 介电材料上沉积阻挡层。

9.如权利要求7的方法，其中该紫外辐射包括小于400纳米的宽频 带波长。

10.如权利要求7的方法，其中该紫外暴露是在N₂、H₂、Ar、He、 Ne、H₂O蒸汽、NH₃、CO、CO₂、O₂、O₃、C_xH_y、C_xF_y、C_xH_zF_y及其混 合物的气氛中进行的，其中x为1～6的整数，y为4～14的整数，z为1～ 14的整数。

11.一种用于密封位于基体之上的多孔低k介电材料的方法，包括：

通过将多孔低k介电材料的表面暴露于仅由紫外辐射组成的辐射图 形，其时间、强度和波长在包含氧气的气氛中将该多孔低k材料的表面有 效密封到小于或等于20纳米的深度，从而将多孔低k介电材料的表面氧 化。

12.如权利要求11的方法，其中该紫外辐射图形包括小于400纳米 的宽频带波长。

13.如权利要求11的方法，进一步包括在将多孔低k介电材料暴露 于紫外辐射之后，使该多孔低k介电材料退火。

14.一种用于密封位于基体之上的多孔低k介电材料的方法，包括：

通过将多孔低k介电材料的表面暴露于紫外辐射图形，其时间、强度 和波长将该多孔低k材料的表面有效密封到小于或等于20纳米的深度， 使多孔低k介电材料的表面碳化。