[发明专利]用于多层或多图案套准的压印参考模板及其方法无效

专利信息
申请号: 200580044505.7 申请日: 2005-10-18
公开(公告)号: CN101088045A 公开(公告)日: 2007-12-12
发明(设计)人: 马修·E.·科尔博恩;伊夫·C.·马丁;查尔斯·T.·雷特纳;西奥多·G.·范·克赛尔;荷玛萨·K.·维克拉玛辛赫 申请(专利权)人: 国际商业机器公司
主分类号: G03F7/00 分类号: G03F7/00
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 李镇江
地址: 美国*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 用于 多层 图案 压印 参考 模板 及其 方法
【权利要求书】:

1.一种形成多个掩膜的方法,包括:

创建包含一个或多个对准标记的参考模板;

使用压印光刻在用于给定芯片组的所有多个掩膜空白上印刷至少一个参考模板对准标记;和

在所述多个掩膜空白的每一个上印刷子图案,并且将所述子图案与所述至少一个参考模板对准标记对准。

2.如权利要求1的方法,其中所述创建步骤包括使用电子束光刻创建参考模板。

3.如权利要求1的方法,其中提供多个对准标记。

4.如权利要求1的方法,其中所述印刷子图案的步骤包括使用电子束光刻和压印光刻中的至少一个。

5.如权利要求1的方法,其中为所述芯片组的所述掩膜的每一个使用相同的参考模板。

6.如权利要求1的方法,其中所述掩膜上的对准标记具有与将印刷到所述芯片上的对准标记相同的尺寸,并且位于与将印刷到所述芯片上的对准标记相同的位置。

7.如权利要求1的方法,其中所述至少一个参考模板对准标记被用于光学对准标记,并且被用于构成所述掩膜图案的子阵列成分。

8.如权利要求1的方法,其中所述至少一个参考模板对准标记被用于电子束对准,并且被用于构成所述掩膜图案的子阵列成分。

9.如权利要求1的方法,其中所述至少一个参考模板对准标记被用于直接写光学对准,并且被用于构成所述掩膜图案的子阵列成分。

10.如权利要求1的方法,其中所述至少一个参考模板标记包括框和十字中的任意一个。

11.如权利要求1的方法,其中所述参考模板包括用于纳米压印光刻的玻璃模子、石英模子、蓝宝石模子和硅模子中的一个。

12.如权利要求1的方法,还包括在用于每个芯片的每层的掩膜空白内传播所述模板的所述至少一个对准标记。

13.如权利要求12的方法,其中所述传播步骤包括纳米压印光刻。

14.如权利要求1的方法,其中每个芯片的每层包括分组成子阵列的图案,并且

其中使用光学光刻、电子束光刻和纳米压印光刻中的至少一个在包含所述对准标记的每个掩膜上形成所述分组子阵列的图案,并且

其中所述对准标记允许每个子阵列的精确对准,

其中在每层掩膜上所述对准标记的放置是相同的。

15.一种用于形成多个掩膜的系统,包括:

包含一个或多个对准标记的参考模板;

光刻系统,使用压印光刻在用于给定芯片组的所有多个掩膜空白上印刷至少一个参考模板对准标记;和

印刷机,在所述多个掩膜空白的每一个上印刷子图案,并且将所述子图案与所述至少一个参考模板对准标记对准。

16.如权利要求15的系统,其中提供多个对准标记。

17.如权利要求15的系统,其中将所述参考模板用于所述芯片组的所述掩膜的每一个。

18.如权利要求15的系统,其中所述掩膜上的对准标记具有与将印刷到所述芯片上的对准标记相同的尺寸,并且位于与将印刷到所述芯片上的对准标记相同的位置。

19.如权利要求15的系统,其中所述至少一个参考模板对准标记被用于光学对准标记,并且被用于构成所述掩膜图案的子阵列成分。

20.如权利要求15的系统,其中所述至少一个参考模板对准标记被用于电子束对准,并且被用于构成所述掩膜图案的子阵列成分。

21.如权利要求15的系统,其中所述至少一个参考模板对准标记被用于直接写光学对准,并且被用于构成所述掩膜图案的子阵列成分。

22.如权利要求15的系统,其中所述至少一个参考模板对准标记包括框和十字中的任意一个。

23.如权利要求15的系统,其中所述参考模板包括用于纳米压印光刻的玻璃模子、石英模子、蓝宝石模子和硅模子中的一个。

24.如权利要求15的系统,其中每个芯片的每个层包括分组成子阵列的图案,并且

其中使用光学光刻、电子束光刻和纳米压印光刻中的至少一个在包含所述对准标记的每个掩膜上形成所述分组子阵列的图案,并且

其中所述对准标记允许每个子阵列的精确对准,

其中在每层掩膜上所述对准标记的放置是相同的。

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