[发明专利]光电装置的垂直生产无效

专利信息
申请号: 200580044444.4 申请日: 2005-11-10
公开(公告)号: CN101087899A 公开(公告)日: 2007-12-12
发明(设计)人: 约翰·R·塔特尔 申请(专利权)人: 德斯塔尔科技公司
主分类号: C23C14/34 分类号: C23C14/34;H01L31/00;C23C16/00
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 代理人: 王允方;刘国伟
地址: 美国*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 光电 装置 垂直 生产
【权利要求书】:

1.一种用于制造光电装置的设备,其包括:

用于将垂直定向的衬底提供到第一反应区域的构件;

多个反应区域,其至少包含:

能够提供用于沉积背部接触层的环境的区域;

能够提供用于沉积p型半导体层的环境的区域;和

能够提供用于沉积n型半导体层的环境的区域。

2.根据权利要求1所述的设备,其中所述用于提供垂直定向的衬底的构件是用于将托盘传输通过所述多个反应区域的基于托盘的系统和构件。

3.根据权利要求1所述的设备,其进一步包括用于将垂直定向的衬底传输到所述多个反应区域的第二构件。

4.一种用于制造光电装置的方法,其包括:将能够垂直地固持衬底的构件依次提供到多个反应器区域,其中所述多个区域包含至少一个沉积p型半导体层的区域。

5.一种用于制造光电电池的方法,其包括:

a.提供多个垂直安置的衬底;

b.在所述多个衬底的表面上沉积导电薄膜;

c.其中所述导电薄膜包含由导电材料形成的多个离散层;和

d.在p型吸收体层上沉积n型半导体层,从而形成p-n结。

6.根据权利要求5所述的方法,其进一步在所述导电薄膜上沉积至少一个p型半导体层,其中所述p型半导体层包含基于铜铟二硒的合金材料。

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