[发明专利]SiC器件的可焊接顶层金属

权利要求书

1.一种半导体器件，该半导体器件包括：

具有顶面的碳化硅衬底；

在所述衬底的所述顶面上的至少一个电源电极；

在所述衬底的所述顶面上的钝化层，所述钝化层包围所述电源电极的外周边边缘；以及

置于所述电源电极顶面的一部分上的可焊接触点，所述可焊接触点与所述钝化层分开一定距离，使所述可焊接触点和所述钝化层的相邻侧面形成延伸到所述电源电极顶面的间隙。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述可焊接触点的顶面和侧面完全露出，用于进行焊接连接。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中所述可焊接触点是含银触点，并且在焊接之后，所述可焊接触点的整个顶面和侧面完全转变成焊料合金。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述间隙是从约5μm宽到约80μm宽。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述可焊接触点包括银。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述可焊接触点是可焊接的三金属，所述三金属顶部由银组成。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述钝化层是非晶硅层。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述钝化层是第一钝化层，并且所述器件还包括在所述第一钝化层上的第二钝化层。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中所述第二钝化层延伸到所述间隙，使所述第二钝化层的侧面与所述可焊接触点的侧面相邻，从而进一步形成所述间隙。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中所述可焊接触点的侧面延伸到所述衬底顶面以上第一高度，所述第二钝化层的侧面延伸到所述衬底顶面以上第二高度，并且所述第二高度等于或大于所述第一高度。

11.根据权利要求8所述的半导体器件，其中所述第二钝化层是光成像聚酰亚胺层、PSG氧化物层或氮化硅层。

12.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述器件是肖特基二极管，并且所述至少一个电源电极是正极。

13.根据权利要求12所述的半导体器件，还包括端子区，所述端子区包括至少一个保护环。

14.根据权利要求13所述的半导体器件，其中所述器件能承受从约300V到约1600V的势垒电压。

15.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括电连接到所述可焊接触点的导电夹片或引线架。

16.一种半导体器件，该半导体器件包括：

具有顶面的碳化硅衬底；

在所述衬底的所述顶面上的至少一个电源电极；

在所述衬底的所述顶面上的第一钝化层，所述第一钝化层包围所述电源电极的外周边边缘；

在所述第一钝化层上的第二钝化层，所述第二钝化层包围所述电源电极的外周边边缘；以及

置于所述电源电极顶面的一部分上的可焊接触点，所述可焊接触点与所述第一和第二钝化层分开一定距离，使所述可焊接触点与所述第一和第二钝化层之间形成间隙。

17.根据权利要求16所述的半导体器件，其中所述间隙是从约5μm宽到约80μm宽。

18.根据权利要求16所述的半导体器件，其中所述第一钝化层是非晶硅层，所述第二钝化层是光成像聚酰亚胺层、PSG氧化物层或氮化硅层。

19.根据权利要求16所述的半导体器件，其中所述可焊接触点和所述第二钝化层的相邻侧面形成一部分所述间隙，并且相邻的侧面延伸到所述衬底顶面以上基本上相同的高度。

20.根据权利要求16所述的半导体器件，其中所述可焊接触点的顶面和侧面完全露出，用于进行焊接连接，并且所述可焊接触点是含银触点，在焊接之后，所述可焊接触点的整个顶面和侧面完全转变成焊料合金。