[发明专利]具有多个发光单元的发光装置和安装所述发光装置的封装有效

专利信息
申请号: 200580042802.8 申请日: 2005-10-25
公开(公告)号: CN101076900A 公开(公告)日: 2007-11-21
发明(设计)人: 李贞勋;拉克鲁瓦·伊夫;尹亨铢;李营柱 申请(专利权)人: 首尔OPTO仪器股份有限公司
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00
代理公司: 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 代理人: 寿宁
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 具有 发光 单元 装置 安装 封装
【权利要求书】:

1.一种发光装置,其包括:

衬底;

多个发光单元,一同设置在所述衬底上,所述发光单元中的每一者具有N型半导体层和位于所述N型半导体层的一部分上的P型半导体层;以及

次载具衬底,其上面接合有所述多个发光单元,其中

所述多个发光单元彼此电连接,而使用AC电源来直接驱动所述发光装置。

2.根据权利要求1所述的发光装置,其中所述次载具衬底包括多个彼此间隔开的电极层,所述多个发光单元接合到所述电极层,且所述电极层中的每一者电连接所述多个发光单元中两个相邻发光单元的N型半导体层和P型半导体层。

3根据权利要求2所述的发光装置,其进一步包括形成在所述N型半导体层中每一者上的N型金属凸块和形成在所述P型半导体层中每一者上的P型金属凸块,其中所述多个发光单元通过所述N型和P型金属凸块而接合到所述电极层。

4.根据权利要求1所述的发光装置,其中所述次载具衬底具有多个凹入部分和凸起部分,且所述N型半导体层和所述P型半导体层分别接合到所述凸起部分和所述凹入部分。

5.根据权利要求1所述的发光装置,其中所述次载具衬底包括形成在其一边缘处的P型接合垫和形成在其另一边缘处的N型接合垫,且在所述多个发光单元中,位于所述衬底的所述边缘处的发光单元的P型半导体层电连接到所述P型接合垫,且位于所述衬底的所述另一边缘处的发光单元的N型半导体层电连接到所述N型接合垫。

6.根据权利要求5所述的发光装置,其进一步包括用于电连接所述P型半导体层和所述P型接合垫的P型金属凸块以及用于电连接所述N型半导体层和所述N型接合垫的N型金属凸块。

7.根据权利要求6所述的发光装置,其进一步包括多个连接电极,所述连接电极电连接位于所述衬底的所述边缘处的所述发光单元与位于所述衬底的所述另一边缘处的所述发光单元之间的相邻发光单元的所述N型半导体层和所述P型半导体层,从而在所述衬底上形成串联发光单元阵列。

8.根据权利要求1所述的发光装置,其中所述多个发光单元中的每一者包括:

缓冲层,其形成在所述衬底上;

所述N型半导体层,其形成在所述缓冲层上;

有源层,其形成在所述N型半导体层的一部分上;

所述P型半导体层,其形成在所述有源层上;

第一金属层,其形成在所述P型半导体层上;以及

第二金属层,其形成在所述第一金属层上。

9.一种发光装置,其包括:

衬底;

多个发光单元,一同设置在所述衬底上,所述发光单元中的每一者具有N型半导体层和位于所述N型半导体层的一部分上的P型半导体层;

N型金属凸块,其形成在所述多个发光单元中的一个发光单元的N型半导体层上;

P型金属凸块,其形成在所述多个发光单元中的另一发光单元的P型半导体层上;以及

多个连接电极,形成在所述衬底上并电连接相邻发光单元的所述N型半导体层和所述P型半导体层,以在所述衬底上形成串联发光单元阵列,且上述一个发光单元和上述另一发光单元位于所述串联发光单元阵列的两端处,其中

所述多个发光单元彼此电连接,而使用AC电源来直接驱动所述发光装置。

10.根据权利要求9所述的发光装置,其中所述N型金属凸块和所述P型金属凸块的顶部表面经定位成至少与所述连接电极的顶部表面齐平。

11.根据权利要求9所述的发光装置,其中所述多个所述发光单元中的每一者包括:

缓冲层,其形成在所述衬底上;

所述N型半导体层,其形成在所述缓冲层上;

有源层,其形成在所述N型半导体层的一部分上;

所述P型半导体层,其形成在所述有源层上;

第一金属层,其形成在所述P型半导体层上;以及

第二金属层,其形成在所述第一金属层上。

12.根据权利要求11所述的发光装置,其中所述第一和所述第二金属层分别为透明电极和反射膜。

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