[发明专利]衬底保持装置、曝光装置以及器件制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及保持处理衬底的衬底保持装置、使处理衬底曝光的曝光装置以及器件制造方法。

本申请基于2004年12月15日申请的日本特愿2004-363478号主张优先权，在这里援引其内容。

背景技术

在作为半导体器件、液晶显示器件等微型器件的制造工序之一的光刻工序中，使用将形成于掩模上的图案的像投影到感光性的衬底上的曝光装置。该曝光装置具有支承掩模的掩模载台和支承衬底的衬底载台，边依次移动掩模载台及衬底载台，边将掩模的图案的像经由投影光学系统投影到衬底。在微型器件的制造中，为了实现器件的高密度化，要求形成于衬底上的图案的微细化。为了应对该要求，希望实现曝光装置的进一步的高分辨率化。作为用于实现该高分辨率化的方法之一，人们提出了如下述专利文献1中所公开的那样的浸液曝光装置，即，在将投影光学系统和衬底之间用与气体相比折射率更高的液体充满的状态下进行曝光处理。

专利文献1：国际公开第99/49504号小册子

专利文献2：日本特开2004-289127号公报

当液体经由衬底与衬底载台之间的间隙等浸入衬底的背面侧时，就有可能产生各种不良状况。例如，当衬底的背面被浸入了衬底的背面侧的液体浸湿时，则有可能无法用衬底夹具(衬底保持装置)良好地保持衬底。或者，在使用规定的输送系统将衬底从衬底夹具中送出(卸载)时，有可能使液体附着于保持已浸湿了的衬底的背面的输送系统上，或液体向输送路径中飞散等，使损害扩大。

发明内容

本发明就是鉴于此种情况而完成的，其目的在于，提供即使在液体浸入了衬底的背面侧的情况下也可以将该浸入的液体迅速地回收的衬底保持装置及曝光装置、使用了该曝光装置的器件制造方法。

为了解决所述问题，本发明采用了与实施方式中所示的各图对应的以下结构。但是，对各要素所附加的带有括号的符号只不过是该要素的示例，而不限定各要素。

依照本发明的第一方案，提供一种衬底保持装置(PH)，保持在表面(Pa)上形成了液体(LQ)的浸液区域(LR)的处理衬底(P)，其具备：基材(PHB)；第一支承部(46)，形成于基材(PHB)上，支承处理衬底(P)的背面(Pb)；第一周壁部(42)，形成于基材(PHB)上，与处理衬底(P)的背面(Pb)相对，且设置成连续地包围第一支承部(46)；以及第一回收口(51)，设于第一周壁部(42)的外侧；利用沿着第一周壁部(42)的气流，将第一周壁部(42)的外侧的液体(LQ)移动至第一回收口(51)而回收。

根据本发明的第一方案，通过利用沿着第一周壁部的气流，将第一周壁部的外侧的液体移动至第一回收口，即使液体浸入衬底的背面侧，也可以使用第一回收口将该液体迅速地回收。

依照本发明的第二方案，提供一种曝光装置(EX)，具备所述方案的衬底保持装置(PH)，经由液体(LQ)使保持于该衬底保持装置(PH)的处理衬底(P)曝光。

根据本发明的第二方案，由于可以将所浸入的液体迅速地回收，因此可以将处理衬底良好地曝光。

依照本发明的第三方案，提供一种使用所述方案的曝光装置(EX)的器件制造方法。

根据本发明的第三方案，可以使用能够将处理衬底良好地曝光的曝光装置来制造器件。

根据本发明，即使在液体浸入了处理衬底的背面侧的情况下，也可以将该浸入的液体迅速地回收。另外，可以将处理衬底良好地曝光。

附图说明

图1是表示第一实施方式的曝光装置的概略构成图。

图2是第一实施方式的衬底夹具的侧剖视图。

图3是从上方看到的第一实施方式的衬底夹具的俯视图。

图4是表示第一实施方式的衬底夹具保持了衬底的状态的俯视图。

图5是图2的要部放大图。

图6是表示曝光动作的一个例子的流程图。

图7是用于说明在曝光处理位置与衬底更换位置之间移动的衬底夹具的图。

图8是用于说明气流的图。

图9是用于说明气流的图。

图10是用于说明气流的图。

图11是用于说明气流的图。

图12是从上方看到的第二实施方式的衬底夹具的俯视图。

图13是将第二实施方式的衬底夹具的要部放大了的侧剖视图。

图14是用于说明气流的图。

图15是表示狭缝部的一个例子的立体图。

图16是表示狭缝部的一个例子的俯视图。

图17是表示狭缝部的另一个例子的俯视图。

图18是表示狭缝部的另一个例子的俯视图。