[发明专利]氮化镓化合物半导体发光元件及其制造方法

权利要求书

1、一种发光元件，包括：

金属支撑层；

P型反射膜电极，处于所述金属支撑层上；

P型半导体层、作用层和N型半导体层，依次形成在所述P型反射膜电极上；

N型电极，形成在所述N型半导体层上；

绝缘膜，至少形成在所述N型半导体层的侧面上；以及

金属保护层，用于保护所述P型半导体层和所述N型半导体层。

2、一种发光元件，包括：

金属支撑层；

反射层，形成在所述金属支撑层上；

P型反射膜电极，以网格形式形成在所述反射层上；

P型半导体层、作用层和N型半导体层，依次形成在包含所述P型反射膜电极的所述反射层之上；

N型电极，形成在所述N型半导体层的所需区域处；

绝缘膜，至少形成在所述N型半导体层的侧面上；以及

金属保护层，用于保护所述P型半导体层和所述N型半导体层。

3、根据权利要求1或2所述的发光元件，其中所述金属支撑层具有多层支撑结构。

4、根据权利要求1或2所述的发光元件，进一步包括保护层，所述保护层形成在所述N型半导体层、所述作用层和所述P型半导体层的侧面和/或底面的一部分上。

5、根据权利要求1或2所述的发光元件，进一步包括抗反射层，所述抗反射层覆盖在所述P型半导体层、所述作用层和所述N型半导体层周围。

6、根据权利要求1所述的发光元件，其中所述P型反射膜电极包括接触金属层、反射金属层、扩散阻障层和接合金属层。

7、一种发光元件，包括：

P型半导体层；

作用层和N型半导体层，形成在所述P型半导体层上；

N型电极，形成在所述N型半导体层上；

绝缘膜，至少形成在所述N型半导体层的侧面上；以及

金属保护层，用于保护所述P型半导体层和所述N型半导体层。

8、根据权利要求7所述的发光元件，其中所述金属保护层形成在所述P型半导体层和所述N型半导体层的侧面上和所述P型半导体层的底面上。

9、根据权利要求7所述的发光元件，进一步包括绝缘层，所述绝缘层形成在所述P型半导体层的底面的一部分上。

10、根据权利要求9所述的发光元件，其中所述绝缘层延伸到所述作用层的侧面。

11、根据权利要求7所述的发光元件，进一步包括抗反射层，所述抗反射层形成在所述N型半导体层上。

12、根据权利要求7所述的发光元件，进一步包括P型电极，所述P型电极形成在所述P型半导体层之下。

13、根据权利要求12所述的发光元件，其中所述P型电极包含接触金属层、反射金属层、扩散阻障层和接合金属层。

14、一种制造发光元件的方法，包括：

在衬底上依次形成N型半导体层、作用层和P型半导体层；

通过部分蚀刻所述P型半导体层、所述作用层、所述N型半导体层和所述衬底而隔离元件；

在隔离的所述P型半导体层上形成P型反射膜电极，且在整个结构上形成第一金属支撑层；

移除所述衬底；以及

在所述N型半导体层上形成N型电极；

其中，所述第一金属支撑层是通过电镀方法或使用真空气相沉积装置而形成的，所述真空气相沉积装置包括热蒸发器、电子束蒸发器、激光蒸发器、溅镀器和有机金属化学气相沉积装置。

15、根据权利要求14所述的制造发光元件的方法，其中在所述第一金属支撑层上进一步形成隔离的第二金属支撑层，且所述第二金属支撑层是通过电镀方法或使用真空气相沉积装置而形成的，所述真空气相沉积装置包括热蒸发器、电子束蒸发器、激光蒸发器、溅镀器和有机金属化学气相沉积装置。

16、一种制造发光元件的方法，包括：

在衬底上依次形成N型半导体层、作用层、P型半导体层、P型反射膜电极和第一金属支撑层；

移除所述衬底；

通过部分蚀刻所述P型半导体层、所述作用层和所述N型半导体层而隔离元件；以及

在所述N型半导体层上形成N型电极。