[发明专利]红外探测器无效
| 申请号: | 200580038796.9 | 申请日: | 2005-11-11 |
| 公开(公告)号: | CN101057127A | 公开(公告)日: | 2007-10-17 |
| 发明(设计)人: | P·A·曼宁 | 申请(专利权)人: | 秦内蒂克有限公司 |
| 主分类号: | G01J5/20 | 分类号: | G01J5/20;G08B13/19 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 张雪梅;王忠忠 |
| 地址: | 英国*** | 国省代码: | 英国;GB |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 红外探测器 | ||
1.一种红外探测器(2),包括多个测辐射热计探测器(4)、用来将偏置施加到所述测辐射热计探测器的装置、以及用来将所述测辐射热计探测器连接到一起以形成网络的装置,其中所述测辐射热计探测器(4)设置在基本为大气压的环境中,并且在使用中所述偏置装置被设置以在基本恒定的偏置温度下操作这些测辐射热计探测器(4)。
2.根据权利要求1的红外探测器(2),其中在使用中所述连接装置被设置以在所述网络内以串联和并联的至少一种方式将所述测辐射热计探测器(4)连接到一起。
3.根据权利要求1或2的红外探测器(2),其中在使用中所述偏置装置被设置以将DC偏置电流提供给所述网络内的测辐射热计探测器元件(4)。
4.根据前述权利要求中的任何一个的红外探测器(2),包括具有集成在其上的测辐射热计探测器(4)、偏置装置、以及连接装置的衬底(8)。
5.根据权利要求4的红外探测器(2),包括单片集成电路。
6.根据权利要求5的红外探测器(2),硅单片集成电路。
7.根据权利要求6的红外探测器(2),其中所述单片集成电路是n沟道MOSFET(NMOS)集成电路、p沟道MOSFET(PMOS)集成电路和互补MOSFET(CMOS)集成电路中的一种。
8.根据权利要求1-7中的任何一个的红外探测器(2),其中在使用中所述偏置温度在环境温度以上1℃到50℃的范围内,1℃和50℃也包括在内。
9.根据权利要求8的红外探测器(2),其中在使用中所述偏置温度在环境温度以上1℃到20℃的范围内,1℃和20℃也包括在内。
10.根据权利要求9的红外探测器(2),其中在使用中所述偏置温度在环境温度以上1℃到10℃的范围内,1℃和10℃也包括在内。
11.根据前述权利要求中的任何一个的红外探测器(2),其中所述连接装置能够将所述网络内的测辐射热计探测器(4)重新配置成多种结构。
12.根据权利要求11的红外探测器(2),其中所述连接装置能够实时地重新配置所述网络内的测辐射热计探测器(4)。
13.根据前面权利要求中的任何一个的红外探测器(2),其中所述测辐射热计探测器(4)包括至少一个电阻测辐射热计。
14.根据前面权利要求中的任何一个的红外探测器(2),其中所述测辐射热计探测器(4)包括至少一个微桥测辐射热计。
15.根据前述权利要求中的任何一个的红外探测器(2),其中所述测辐射热计探测器(4)在其中排列成行和列。
16.根据前述权利要求中的任何一个的红外探测器(2),其中所述测辐射热计探测器(4)的数目在10-1000的范围内,10和1000也包括在内,优选在40-200的范围内,40和200也包括在内。
17.根据前述权利要求中的任何一个的焦平面探测器(2),其中所述测辐射热计探测器(4)适合探测具有在3μm-14μm范围内的波长的辐射。
18.根据前述权利要求中的任何一个的红外探测器(2),其中所述环境包括空气、氮气、以及高分子量气体中的至少一种。
19.一种用来提高红外探测器(2)的灵敏度的方法,该红外探测器具有多个测辐射热计探测器(4),其被设置以与流体接触地工作,以便至少部分地补偿由于热能通过所述流体从所述测辐射热计探测器(4)传导引起的红外探测器的灵敏度的降低,该方法包括以下步骤中的至少一个:
(i)以串联和并联中的至少一种方式将这些测辐射热计探测器(4)连接到一起,
(ii)以DC偏置电流操作所述测辐射热计探测器(4),以及
(iii)在基本恒定的偏置温度下操作所述测辐射热计探测器(4)。
20.根据权利要求19的方法,其中所述流体基本在大气压下。
21.根据权利要求19或20中的任何一个的方法,其中所述流体包括空气、氮气、以及高分子量气体中的至少一种。
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