[发明专利]氧化铟－氧化锌－氧化镁类溅射靶及透明导电膜

说明书

技术领域

本发明涉及液晶驱动用的电极基板、EL用的电极基板，特别涉及构成这些电极基板中所用的透明电极的透明导电膜。另外，本发明涉及为了制造该透明导电膜而使用的溅射靶。

背景技术

一直以来，作为透明导电膜用溅射靶，正在研究掺杂了Sn的材料。特别是，ITO(铟·锡氧化物：Indium Tin Oxide)被广泛地使用。

但是，对于ITO的情况，为了降低其比电阻，需要使之结晶化。由此，需要在高温下成膜，或者在成膜后进行规定的加热处理。

另外，在结晶化了的ITO膜的蚀刻加工时，属于强酸的王水(硝酸·盐酸的混合液)被作为蚀刻液使用，然而有时因使用强酸而造成的不佳状况的产生会成为问题。即，在将TFT(Thin Film Transistor：薄膜晶体管)等作为构成要素使用的液晶显示装置中，有作为栅线、源·漏线(或电极)使用金属细线的情况。该情况下，在ITO膜的蚀刻加工时，有时会产生因王水而使这些配线材料断线或发生细线化的问题。

所以，提出过如下的方案，即，在成膜时，通过使溅射气体中存在氢或水，而形成非晶态ITO膜，将所形成的非晶态ITO膜用弱酸蚀刻。但是，由于ITO自身为结晶性，因此在用弱酸进行蚀刻的情况下，有时产生蚀刻残渣的情况会成为问题。另外，在成膜时，当在溅射气体中分散有氢或水时，则在ITO溅射靶上会产生被称作节结的突起，有可能成为异常放电的原因。

另一方面，作为关于被作为一般添加于透明导电膜中的Sn以外的添加金属，添加Zn的溅射靶或导电材料、透明导电膜的专利的一个例子，公布有如下的专利文献。

例如，在下述专利文献1中，公布有含有以In和Zn作为主成分、以通式In₂O₃(ZnO)_m(m＝2～20)表示的六方晶层状化合物的溅射靶。根据该溅射靶，可以获得与ITO膜相比在耐湿性方面更为优良，并且具有与ITO膜同等的导电性及透光率的透明导电膜。

另外，下述专利文献2中，公布有一种液晶显示器用滤色片，其具备作为非晶态氧化物的锌元素、铟元素的原子比的Zn/(Zn+In)的值为0.2～小于0.9的液晶驱动用透明电极，在所述液晶驱动用透明电极中，难以产生裂纹或剥离。

另外，下述专利文献3中，公布有一种导电性透明基材，是含有In及Zn，In/(In+Zn)的值为0.8～0.9的导电性透明基材，在蚀刻特性、比电阻的热稳定性方面优良。

另外，在这些被公布的专利文献1～3中，还有出示可以获得不产生节结的靶、可以获得蚀刻性优良并且具有与ITO同等的比电阻的透明导电膜的内容的专利文献。

专利文献1：特开平06-234565号公报

专利文献2：特开平07-120612号公报

专利文献1：特开平07-235219号公报

专利文献1：特开平08-264022号公报

但是，在非晶态的透明导电膜中，由于不能明确地产生能带隙，即，能带隙并不很大，因此会有产生在短波长侧，特别是400～450nm区域中的光线透过率降低的问题的情况。

针对于此，所述专利文献4中，制造了通过调整拟三元类氧化物的组成，可以控制折射率，并且透明性高的透明导电膜。但是有如下的问题，即，为了形成该透明导电膜而使用的溅射靶的导电率低，难以进行溅射，或者由于所形成的透明导电膜为结晶性，因此蚀刻性不太高。

发明内容

本发明是为了解决所述问题而完成的，其目的在于，提供在溅射时不会产生节结的靶。另外，本发明的其他的目的在于，提供蚀刻性优良并且特别是在400～450nm区域的透明性方面优良的(在400～450nm区域中具有高的光线透过率的)非晶态透明导电膜。

溅射靶的发明

(1)所以，为了解决所述问题，本发明提供一种溅射靶，其特征是，含有氧化铟、氧化锌和氧化镁。

通过向由氧化铟、氧化锌构成的溅射靶中又添加氧化镁，就可以更为有效地抑制在溅射时发生的节结(nodule)的产生，可以获得异常放电很少的靶。

(2)另外，本发明提供一种溅射靶，其特征是，在含有氧化铟、氧化锌和氧化镁的溅射靶中，在观察了利用X射线衍射得到的晶体峰的情况下，所述晶体峰含有来源于由氧化铟及氧化锌构成的以通式In₂O₃(ZnO)_m表示的六方晶层状化合物、和由氧化铟及氧化镁构成的In₂MgO₄的峰。这里，m为3～20的整数。