[发明专利]氧化铟－氧化锌－氧化镁类溅射靶及透明导电膜

权利要求书

1.一种溅射靶，其特征是，含有由氧化铟及氧化锌构成的以通式In₂O₃(ZnO)_m表示的六方晶层状化合物、和由氧化铟和氧化镁构成的In₂MgO₄，这里，m为3～20的整数，

并且[In]/([In]+[Zn]+[Mg])＝0.74～0.94，[Zn]/([In]+[Zn]+[Mg])＝0.05～0.25，[Mg]/([In]+[Zn]+[Mg])＝0.01～0.20，[In]表示单位体积中的铟原子的数目，[Zn]表示单位体积中的锌原子的数目，[Mg]表示单位体积中的镁原子的数目。

2.根据权利要求1所述的溅射靶，其特征是，

在观察了利用X射线衍射得到的晶体峰的情况下，

所述晶体峰含有来源于由氧化铟及氧化锌构成的以通式In₂O₃(ZnO)m表示的六方晶层状化合物、和由氧化铟和氧化镁构成的In₂MgO₄的峰，这里，m为3～20的整数。

3.根据权利要求1或2所述的溅射靶，其特征是，还含有正4价的金属氧化物。

4.根据权利要求3所述的溅射靶，其特征是，正4价的所述金属氧化物为SnO₂、ZrO₂、GeO₂、CeO₂。

5.根据权利要求1或2所述的溅射靶，其特征是，

含有选自由SnO₂、ZrO₂、GeO₂、CeO₂及Ga₂O₃构成的组M中的1种或2种以上的金属氧化物。

6.根据权利要求5所述的溅射靶，其特征是，

选自所述组M中的1种或2种以上的所述金属氧化物的添加量为[M]/[全部金属]＝0.0001～0.15，这里，[M]表示单位体积中的从所述组M中选择的1种或2种以上的金属氧化物中的金属，即，单位体积中的Sn、Zr、Ge、Ce、Ga的任意1种或2种以上的原子的数目，[全部金属]表示单位体积中的全部金属，即，单位体积中的In、Zn、Mg和从所述组M中选择的1种或2种以上的金属氧化物中的金属的原子的总数。

7.一种非晶态透明导电膜，含有氧化铟、氧化锌和氧化镁，其特征是，

[In]/([In]+[Zn]+[Mg])＝0.74～0.94，[Zn]/([In]+[Zn]+[Mg])＝0.05～0.25，[Mg]/([In]+[Zn]+[Mg])＝0.01～0.20，这里，[In]表示单位体积中的铟原子的数目，[Zn]表示单位体积中的锌原子的数目，[Mg]表示单位体积中的镁原子的数目。

8.根据权利要求7所述的非晶态透明导电膜，其特征是，还含有正4价的金属氧化物。

9.根据权利要求8所述的非晶态透明导电膜，其特征是，正4价的所述金属氧化物为SnO₂、ZrO₂、GeO₂、CeO₂。

10.根据权利要求7所述的非晶态透明导电膜，其特征是，含有选自由SnO₂、ZrO₂、GeO₂、CeO₂及Ga₂O₃构成的组M中的1种或2种以上的金属氧化物。

11.根据权利要求10所述的非晶态透明导电膜，其特征是，选自所述组M中的1种或2种以上的所述金属氧化物的添加量为[M]/[全部金属]＝0.0001～0.15，这里，[M]表示单位体积中的从所述组M中选择的1种或2种以上的金属氧化物中的金属，即，单位体积中的Sn、Zr、Ge、Ce、Ga的任意1种或2种以上的原子的数目，[全部金属]表示单位体积中的全部金属，即，单位体积中的In、Zn、Mg和从所述组M中选择的1种或2种以上的金属氧化物中的金属的原子的总数。