[发明专利]发光结构无效

专利信息
申请号: 200480042549.1 申请日: 2004-12-23
公开(公告)号: CN101120449A 公开(公告)日: 2008-02-06
发明(设计)人: W·R·拉特克利夫 申请(专利权)人: 艾吉尔莱特股份有限公司
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 代理人: 沈昭坤
地址: 美国得*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 发光 结构
【说明书】:

技术领域

发明大体上涉及发光二极管。

背景技术

响应于发光二极管的有利特性(例如低压、低加热、低维护、色彩多样性和长寿命),已有人提出各种各样的发光结构。不过,这些结构通常复杂和巨大,因为其包括许多元件(例如本体、透镜和大而离散的电阻器),所以其不能适用于各种各样的要求小而便宜的发光结构的照明应用。

发明内容

本发明涉及一种发光结构,其有助于缩减尺寸和成本并简化制造和组装。

本发明的新颖在所附的权利要求具体地提出。通过以下的叙述并结合附图就可对本发明作最佳的理解。

附图说明

图1至图4所示为本发明的发光结构的实施例的立体图。

具体实施方式

图1至图4所示为发光结构的实施例,其特征提供许多优点,包括缩减的尺寸和成本以及简化的制造和组装。

具体地说,图1所示为一种发光结构20,其包括一发光二极管(LED)小片22,一电阻件24,触点26和一互连件28。该发光二极管22具有一阳极表面30和一阴极表面32,而该电阻件24设置于该阳极表面30上。

如图1所明示,可通过该互连件28和阴极表面32提供至LED的通路。响应于施加于些结构上的电压,LED 22的阳极阴极结36发出光40,其波长随LED的半导体成份而变。

半导体LED已被配置成发出具有各种波长的光,一般地,当波长减小时,该些LED的正向压降增大。例如,红色、黄色和绿色的LED展示出的典型的范围分别为1.8-2.0伏、2.0-2.2伏和2.2-2.5伏的正向压降。除此之外,每一LED典型地具有一特定的推荐的正向电流,以提高LED的性能参数(例如亮度、耗散和使用寿命)。

因此,电阻件24可以有一电阻率及一截面,该截面被配置成实现一预定阻抗以使其在一选定的电源电压施加于该发光结构20时可提供一特定的正向电流。例如,一示范性的绿色LED限定为具有2.8伏的正向压降和20毫安培的正向电流。对于该特定的LED,图1的电阻件24的电阻率及截面较佳地设置成可以在选定的电源电压在3.0至4.8伏的范围增大时提供一在10至100欧姆的范围增大的阻抗。一般而言,响应于一提供的电源电压,可以选择该电阻件24的电阻率及截面以实现特定的正向电流。

如图1所例示,该互连件28通过选定的多个导电触点26(所选定的触点因而用虚线示出)之一与电阻件24耦合。较佳地,一类似的导电件42可设置于阴极表面32之上以及一类似的导电薄膜44也可插置于阳极表面30和电阻件24之间以提高这些元件之间的传导率(应该注意,图1中的各种各样结构已被拆开以有助于参照不同的结构,例如,该导电件42自该LED的一角拆开以便可参照该阴极表面32)。

在一实施例中,该互连件28是用合适的导电金属(例如铝、铜、锡或其合金)制作的导电线。在其它的可以使用的截面中,图1示出了一平的截面,其有助于该互连件与触点26的接合(例如通过焊接)。在一示范性的LED结构中,该互连件28可以作若干距离的延伸并与多个类似于结构20的发光结构耦合。

虽然图1将该电阻件24置于该阳极表面30之上,另一发光结构的实施例则通过将该电阻件如移动箭头50所示般移到该阴极表面32来形成。在此实施例中,该互连件28仍旧与该阳极表面耦合,但在另一实施例中,其也可如移动箭头52所示般移动,以便该电阻件24可插于其和阴极表面32之间。或者,该互连件28可以移到该阴极表面,而该电阻件则可仍旧在该阳极表面之上。在又一实施例中,电阻件24的阻抗可以通过分别设置于该阳极和阴极表面30和32上的第一和第二电阻件实现。

在所有这些实施例中,一电阻件设置于一LED的一表面上以形成发光结构,其尺寸相对于传统的LED结构(尤其是那些包括带有连接引线的分离的电阻器的LED结构)大大地缩减。除此之外,这些结构与制造工艺(例如薄膜和厚膜工艺)相容以致于其成本相对于传统的LED结构可大大地降低。这些发光结构可轻易地整合于各种各样的光显示结构之内,因为其尺寸缩减以及其无需额外的限流元件。

图2所示为另一实施例,该发光结构60包括图1中的元件,而相同的元件由相同的附图标记代表。该结构60以分别与不同的触点26A和26B耦合的互连件28A和28B替换图1中的互连件28。

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