[发明专利]用于由多列不同存储器阵列共享的限流分压器的装置和方法无效

专利信息
申请号: 200380109481.X 申请日: 2003-12-01
公开(公告)号: CN101405809A 公开(公告)日: 2009-04-08
发明(设计)人: J·韦恩·汤普森;乔治·B·拉德;霍华德·C·基尔希 申请(专利权)人: 米克伦技术公司
主分类号: G11C7/00 分类号: G11C7/00;G11C7/12
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 代理人: 王 英
地址: 美国*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 用于 不同 存储器 阵列 共享 限流 分压器 装置 方法
【权利要求书】:

1、一种存储器件,包括:

第一存储器阵列,其具有按行和列排列的存储器单元,所述列各 有一个对该相应列进行预充电的平衡电路;

第二存储器阵列,其具有按行和列排列的存储器单元,所述列各 有一个对该相应列进行预充电的平衡电路;以及

分压器,其连接到一个预充电电压源,并且还连接到所述第一存 储器阵列中的一列的至少一个平衡电路和所述第二存储器阵列中的 一列的至少一个平衡电路,该分压器用于限制由所述平衡电路从所述 预充电电压源中引出的电流。

2、如权利要求1所述的存储器件,其中,连接到所述第一存储 器阵列中的一列的所述至少一个平衡电路包括分别连接到所述第一 存储器阵列中第一和第二列的第一和第二平衡电路,并且,连接到所 述第二存储器阵列中的一列的所述至少一个平衡电路包括分别连接 到所述第二存储器阵列中第一和第二列的第一和第二平衡电路。

3、如权利要求1所述的存储器件,其中,所述分压器包括一个 p沟道MOS晶体管。

4、如权利要求1所述的存储器件,其中,所述分压器包括一个 晶体管,当跨接该晶体管的电压增加时,该晶体管表现出饱和电流特 性。

5、如权利要求1所述的存储器件,其中,所述预充电电压源包 括一个电压源,其具有的电压为电源电压的一半。

6、如权利要求1所述的存储器件,还包括一个设置在所述第一 和第二存储器阵列之间的读出放大器区域,在所述读出放大器区域中 形成读出放大器,并且,其中所述分压器也形成于所述读出放大器区 域中。

7、一种存储器件,包括:

第一存储器阵列,其具有按行和列排列的存储器单元,所述列各 有一个平衡电路;

第二存储器阵列,其具有按行和列排列的存储器单元,所述列各 有一个平衡电路;

读出放大器区域,其中形成了多个读出放大器,每个读出放大器 连接到所述第一存储器阵列的相应一列,并且还连接到所述第二存储 器阵列的相应一列;以及

分压器,形成于所述读出放大器区域中,并且连接到一个预充电 电压源以及连接到所述第一存储器阵列的一列和所述第二存储器阵 列的一列的所述平衡电路,所述第一和第二存储器阵列的所述列连接 到所述同一读出放大器。

8、如权利要求7所述的存储器件,其中,所述第一和第二存储 器阵列的所述列包括第一列,并且,所述分压器还连接到所述第一存 储器阵列的第二列和所述第二存储器阵列的第二列的平衡电路,所述 第一和第二存储器阵列的所述第二列连接到所述同一读出放大器。

9、如权利要求7所述的存储器件,其中,所述分压器包括一个 p沟道MOS晶体管。

10、如权利要求7所述的存储器件,其中,所述分压器包括一个 晶体管,当跨接该晶体管的电压增加时,该晶体管表现出饱和电流特 性。

11、如权利要求7所述的存储器件,其中,所述预充电电压源包 括一个电压源,其具有的电压为电源电压的一半。

12、一种存储器件,其具有按行和列排列的存储器单元,每列有 一个用于对该相应列进行预充电的平衡电路,该存储器件包括一个具 有多个读出放大器的读出放大器区域,每个读出放大器通过相应的第 一隔离开关连接到存储器单元的第一多列中的相应一列,并且还通过 相应的第二隔离开关连接到存储器单元的第二多列中的相应一列,所 述读出放大器区域还具有多个分压器,所述分压器各连接到一个预充 电电压源以及连接到所述第一多列中一列的至少一个平衡电路和连 接到所述第二多列中一列的至少一个平衡电路,以限制由所述相应平 衡电路引出的电流。

13、如权利要求12所述的存储器件,其中,所述多个分压器包 括多个p沟道MOS晶体管。

14、如权利要求12所述的存储器件,其中,所述预充电电压源 包括一个电压源,其具有的电压为电源电压的一半。

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