[发明专利]磁阻式随机存取存储器技术中改善磁堆栈表面粗糙度的双层化学机械抛光方法无效
| 申请号： | 200380102827.3 | 申请日： | 2003-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN1729538A | 公开（公告）日： | 2006-02-01 |
| 发明（设计）人： | G·科斯特里尼;J·P·赫梅尔;M·克里斯南;刘嘉成 | 申请（专利权）人： | 因芬尼昂技术股份公司;国际商业机器公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张志醒 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 磁阻 随机存取存储器 技术 改善 堆栈 表面 粗糙 双层 化学 机械抛光 方法 | ||
【权利要求书】：
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