[其他]一种非接触式微波测量半导体材料少子寿命的装置在审

专利信息
申请号: 101986000001518 申请日: 1986-07-25
公开(公告)号: CN1003094B 公开(公告)日: 1989-01-18
发明(设计)人: 王宗欣 申请(专利权)人: 复旦大学
主分类号: 分类号:
代理公司: 上海高校专利事务所 代理人: 王福新;楼涛
地址: 上海市邯郸*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 接触 式微 测量 半导体材料 少子 寿命 装置
【权利要求书】:

1、一种非接触式微波测量半导体材料少子寿命的装置,由微波源、光源、测试头子及微波检测器四部分组成,本发明的特征在于:该装置的测试头子由以下三个部件组成:

a.上部件〔1〕,其水平方向上的一端是一个呈尖劈形的介质波导-波导过渡,它接在检波器波导〔7〕的波导口内,上部件的中间为矩形截面的介质波导,它的另一端是一个直角弯角,弯角与测试平台的台面垂直,在弯角的垂直部分开有一个上大下小的穿通圆孔〔2〕,圆孔的上方为光源〔9〕,垂直部分的底端为带圆孔的矩形测量面。

b.下部件〔4〕的顶端与上部件〔1〕的垂直部分的底端的截面大小相同、位置对准,中间为同样截面的矩形介质波导,下部件〔4〕的另一端为一个呈尖劈形的波导-介质波导过渡,它接在与微波源相连的衰减器波导〔6〕的波导口内。

c.放置样品的介质测试平台〔3〕,位于上部件弯角的垂直部分的底端和下部件〔4〕的顶端之间;测试平台〔3〕的下方开有一个大于下部件〔4〕中介质波导矩形截面的圆型或矩形凹穴,用以容纳下部件〔4〕的介质波导,上方为-放置待测样品〔5〕的平面。

2、根据权利要求1所述的装置,其特征在于测试头子中的上部件〔1〕与下部件〔4〕采用Al2O3陶瓷材料或其它高介电常数的介质材料制成。

3、根据权利要求1所述的装置,其特征在于测试头子的测试平台〔3〕用有机玻璃或聚四氟乙烯或其它低介电常数的介质材料制成。

4、一种反射式非接触式微波测量半导体材料少子寿命的装置,由微波源、光源、测试头子及微波检测器四部分组成。本发明的特征在于,该装置的测试头子由上部件〔1〕,介质测试平台〔3〕组成。上部件〔1〕的尖劈形介质波导-波导过渡接在与环行器一端相连的波导口内,环形器的另外两个端口、分别接微波源与检波器;介质测试平台〔3〕位于上部件〔1〕弯角的垂直部分的底端,微波讯号经环形器到达上部件〔1〕,由上部件〔1〕输出的样品反射信号经环行器到达检波器上,再由显示器显示少子衰退曲线。

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