[发明专利]于沟道区域中具有退化掺杂分布的半导体组件及用于制造该半导体组件的方法有效
| 申请号： | 02828606.5 | 申请日： | 2002-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN1623234A | 公开（公告）日： | 2005-06-01 |
| 发明（设计）人： | K·维乔雷克;M·霍斯特曼;R·斯蒂芬 | 申请（专利权）人： | 先进微装置公司 |
| 主分类号： | H01L29/36 | 分类号： | H01L29/36;H01L29/78;H01L21/336;H01L21/8232 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 戈泊;程伟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 沟道 区域 具有 退化 掺杂 分布 半导体 组件 用于 制造 方法 | ||
【说明书】：
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