[发明专利]三烷基第VA族金属化合物无效
| 申请号： | 02141343.6 | 申请日： | 2002-04-05 |
| 公开（公告）号： | CN1400214A | 公开（公告）日： | 2003-03-05 |
| 发明（设计）人： | D·V·舍奈－卡特克哈特;M·B·鲍尔;A·阿曼奇安 | 申请（专利权）人： | 希普雷公司 |
| 主分类号： | C07F9/90 | 分类号： | C07F9/90;C07F9/94 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 郭建新 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 烷基 va 金属 化合物 | ||
1.一种制备三烷基第VA族金属化合物的方法，包括以下步骤：使第VA族金属三卤化物和式RnM1X3-n的第IIIA族化合物在不含氧取代物的有机溶剂中，在叔胺存在下反应，其中每个R独立地选自(C1-C6)烷基；M1是第IIIA族金属；X是卤素和n是1-3的整数。
2.权利要求1的方法，其中有机溶剂包括脂肪烃或芳香烃。
3.权利要求1至2中任意一项的方法，其中M1选自硼、铝、镓、铟或铊。
4.权利要求1至3中任意一项的方法，其中第VA族金属三卤化物选自三卤化锑、三卤化砷或三卤化铋。
5.权利要求1至4中任意一项的方法，其中叔胺的化学式为NR4R5R6，其中R4、R5和R6独立地选自(C1-C6)烷基、二(C1-C6)烷基氨基取代的(C1-C6)烷基和苯基，并且其中R4和R5可以联在一起，与它们所附着的氮一起形成5-7元杂环。
6.权利要求1至5中任意一项的方法，其中三烷基第VA族金属化合物基本上不含醚溶剂和铝复合物。
7.一种在基材上沉积第VA族金属膜的方法，包括以下步骤：a)在气相中输送第VA族金属化合物到含有基材的沉积室；b)在沉积室中分解第VA族金属化合物；和c)在基材上沉积第VA族金属膜；其中第VA族金属化合物按照权利要求1至6中任意一项的方法制备。
8.一种制造电子设备的方法，包括在电子设备基材上沉积第VA族金属膜的步骤，所述沉积过程包括以下步骤：a)在气相中输送第VA族金属化合物到含有基材的沉积室；b)在沉积室中分解第VA族金属化合物；和c)在基材上沉积第VA族金属膜；其中第VA族金属化合物按照权利要求1至7中任意一项的方法制备。
9.一种基本上不含锌、硅、醚溶剂和铝复合物的三烷基第VA族金属化合物。
10.一种基本上不含醚溶剂的三烷基锑或三烷基铋化合物。
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