[发明专利]半导体存储装置

权利要求书

1.一种半导体存储装置，其特征在于：

它具备：衬底、

在所述衬底的主面上矩阵状配置的多个存储单元、

各列配置、为检测在列方向上配置的多个存储单元数据的读出放大器、

形成在所述衬底上的多个布线层、

在一列中与配置在一列上的多个存储单元连接的多个数据线；

所述多个数据线用相互不同的路径与共通的所述读出放大器连接，从所述读出放大器侧的端部到所述读出放大器的路径长越长的数据线，采用设置更上层的布线层。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于：

所述多个数据线分别具有与配置在一列上的多个存储单元连接的接点插头，

数据线的结构是使包含所述接点插头的各数据线的总布线电容相互间几乎相等。

3.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于：

在所述多个数据线中，使用上下邻接的布线层设置的2个数据线中，设置在上侧布线层的部分从设置在下侧布线层部分的正上方位置偏移设置。

4.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于：

所述多个存储单元具备存储单元晶体管，

其结构的特征是越是与从所述读出放大器侧的端部到所述读出放大器的路径长度长的数据线连接的存储单元越是有更大的单元电流流过所述存储单元晶体管。

5.根据权利要求4所述的半导体存储装置，其特征在于：

在所述存储单元晶体管中，越是与从所述读出放大器侧的端部到所述读出放大器的路径长度长的数据线连接的存储单元具备的晶体管的沟道宽度越大。

6.根据权利要求4所述的半导体存储装置，其特征在于：

在所述存储单元晶体管中，越是与从所述读出放大器侧的端部到所述读出放大器的路径长度长的数据线连接的存储单元具备的晶体管的沟道长度越短。

7.根据权利要求4所述的半导体存储装置，其特征在于：

在所述存储单元晶体管中，越是与从所述读出放大器侧的端部到所述读出放大器的路径长度长的数据线连接的存储单元具备的晶体管的阈值电压越低。

8.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于：

在所述多个数据线中的至少一个路径上设置有放大器。

9.根据权利要求1至8中任一权利要求所述的半导体存储装置，其特征在于：

所述多个数据线通过各自的列开关与所述读出放大器连接。

10.一种半导体存储装置，其特征在于：

它具备：衬底、

在所述衬底的主面上矩阵状配置的多个存储单元、

各列配置、为检测在列方向上配置的多个存储单元数据的读出放大器、

在一列中与配置在一列上的多个存储单元连接的数据线；

所述多个存储单元具有存储单元晶体管，

所述多个存储单元中，与到所述读出放大器的路径长度越长的存储单元越是有更大的单元电流流过所述存储单元晶体管。

11.根据权利要求10所述的半导体存储装置，其特征在于：

在所述存储单元晶体管中，到所述读出放大器的路径长度越长的存储单元具备的晶体管的沟道宽度越大。

12.根据权利要求10所述的半导体存储装置，其特征在于：

在所述存储单元晶体管中，到所述读出放大器的路径长度越长的存储单元具备的晶体管的沟道长度越短。

13.根据权利要求10所述的半导体存储装置，其特征在于：

在所述存储单元晶体管中，到所述读出放大器的路径长度越长的存储单元具备的晶体管的阈值电压越低。