[发明专利]半导体发光元件

权利要求书

1、一种面发光型半导体发光元件，包括：

有主面的衬底，

在上述衬底主面上形成的包括发光层的半导体多层膜，以及

在上述半导体多层膜的与上述衬底相反侧的光取出面侧上设置的多个锥体状突起物，

上述多个突起物的底面与侧面的交叉角度设定为30度以上70度以下。

2、根据权利要求1所述的面发光型半导体发光元件，其特征是：

上述半导体多层膜具有以包层夹住活性层的双异质结结构部分，并在该双异质结结构部分的与上述衬底相反侧的包层上形成透明电极，

上述突起物形成于上述透明电极正下的包层的表面上。

3、根据权利要求1所述的面发光型半导体发光元件，其特征是：

上述半导体多层膜具有以包层夹住活性层的双异质结结构部分，并在该双异质结结构部分的与上述衬底相反侧的包层上形成电流扩散层，

上述突起物形成于上述电流扩散层的表面上。

4、根据权利要求1所述的面发光型半导体发光元件，其特征是上述突起物是圆锥或角锥。

5、根据权利要求1所述的面发光型半导体发光元件，其特征是上述光取出面侧的上述突起物占有面积的比率是50％以上。

6、根据权利要求1所述的面发光型半导体发光元件，其特征是上述突起物是周期性设置的，周期是0.5μm以上。

7、根据权利要求1所述的面发光型半导体发光元件，其特征是上述活性层是InGaAlP，上述包层是InAlP。

8、根据权利要求1所述的面发光型半导体发光元件，其特征是上述突起物的90％以上满足上述30度以上、70度以下的交叉角度。

9、一种面发光型半导体发光元件，其特征是具有：

有主面的衬底，

在上述衬底主面上形成的包括发光层的半导体多层膜，以及

进行粗糙面加工，使上述半导体多层膜的与上述衬底相反侧的光取出面侧具有多个凹凸形状，该粗糙面加工后的面上的各凹凸的顶部与底部的距离(凹凸高度)设定为200nm以上、且在上述发光层的发光波长以下。

10、根据权利要求9所述的面发光型半导体发光元件，其特征是：

上述半导体多层膜具有以包层夹住活性层的双异质结结构部分，并在该双异质结结构部分的与上述衬底相反侧的包层上形成透明电极，

上述透明电极正下方的包层表面加工为粗糙面。

11、根据权利要求9所述的面发光型半导体发光元件，其特征是：

上述半导体多层膜具有以包层夹住活性层的双异质结结构部分，并在该双异质结结构部分的与上述衬底相反侧的包层上形成电流扩散层，

上述电流扩散层的表面加工为粗糙面。

12、根据权利要求9所述的面发光型半导体发元件，其特征是上述活性层是InGaAlP，上述包层是InAlP。

13、根据权利要求9所述的面发光型半导体发光元件，其特征是上述粗糙化加工的凹凸是周期性形成的，当发光波长为λ时，凹凸的周期是0.5λ以下。

14、一种面发光型半导体发光元件，其特征是具有：

有主面的衬底，

在上述衬底主面上形成的包括发光层的半导体多层膜，以及

在上述半导体多层膜的与上述衬底相反侧的光取出面侧设置的、进行了粗糙面加工使其具有多个凹凸形状的反射防止膜，

上述反射防止膜的各凹凸的顶部与底部的距离(凹凸高度)设定为200nm以上、且在上述发光层的发光波长以下。

15、根据权利要求14所述的面发光型半导体发光元件，其特征是上述反射防止膜的折射率设定为比填充到上述半导体多层膜的光取出面侧的透明树脂高，且比上述半导体多层膜的最上层低。

16、根据权利要求14所述的面发光型半导体发光元件，其特征是上述半导体多层膜具有以包层夹住活性层的双异质结结构部分，并在该双异质结结构部分的与上述衬底相反侧的包层上形成电流扩散层。

17、根据权利要求14所述的面发光型半导体发光元件，其特征是上述活性层是InGaAlP，上述包层是InAlP。