[发明专利]混合集成电路装置及其制造方法

权利要求书

1、一种混合集成电路装置，包括：至少设于混合集成电路衬底表面的导电图形；安装于所述导电图形上的半导体元件或无源元件；将所述半导体元件或无源元件和所述导电图形电连接的铝细线；连接在所述导电图形上，作为输出或输入并向外部延伸的导线；通过传递模模装一体覆盖所述衬底的热硬性树脂，其特征在于，将冲切面配置在所述衬底的底面上。

2、如权利要求1所述的混合集成电路装置，其特征在于，在所述冲切面的相对面上形成所述导电图形。

3、如权利要求1或2所述的混合集成电路装置，其特征在于，在所述衬底的形成所述导电图形的面侧存在毛边。

4、如权利要求1～3任一项所述的混合集成电路装置，其特征在于，在所述衬底的冲切面的至少冲切部周边设置有曲面。

5、如权利要求1～4任一项所述的混合集成电路装置，其特征在于，所述衬底由金属衬底构成。

6、如权利要求1所述的混合集成电路装置，其特征在于，所述热硬性树脂直接覆盖所述半导体元件、所述无源元件或所述铝细线。

7、一种混合集成电路装置，其特征在于，包括：至少设于混合集成电路衬底表面的导电图形；安装于所述导电图形上的半导体元件或无源元件；将所述半导体元件或无源元件和所述导电图形电连接的铝细线；和所述导电图形连接，作为输出或输入并向外部延伸的导线；由通过传递模模装覆盖所述衬底的至少表面的热硬性树脂构成的树脂封装体。

8、如权利要求7所述的混合集成电路装置，其特征在于，所述铝细线的直径为30μm～80μm。

9、如权利要求7或8所述的混合集成电路装置，其特征在于，所述衬底和所述导线的连接装置是焊料，所述热硬性树脂的硬化温度低于所述焊料的熔点。

10、如权利要求7所述的混合集成电路装置，其特征在于，所述树脂封装体在所述衬底的表面、背面，使所述热硬性树脂的注入口附近形成薄壁。

11、如权利要求7所述的混合集成电路装置，其特征在于，所述树脂封装体覆盖所述衬底整体。

12、一种混合集成电路装置，其特征在于，包括：至少设于混合集成电路衬底表面的导电图形；安装于所述导电图形上的半导体元件或无源元件；将所述半导体元件或无源元件和所述导电图形电连接的铝细线；和所述导电图形连接，作为输出或输入并向外部延伸的导线；通过传递模模装覆盖所述衬底的至少表面的热硬性树脂，

所述热硬性树脂含有形状为球状的填充物，所述热硬性树脂粘度低且具有流动性。

13、如权利要求12的混合集成电路装置，其特征在于，所述衬底和所述导线的连接装置是焊料，所述热硬性树脂的硬化温度低于所述焊料的熔点。

14、权利要求12的混合集成电路装置，其特征在于，所述热硬性树脂直接覆盖所述半导体元件、所述无源元件或所述铝细线。

15、权利要求12的混合集成电路装置，其特征在于，所述热硬性树脂含有离子阱装置。

16、权利要求12的混合集成电路装置，其特征在于，所述树脂封装体覆盖所述衬底整体。

17、一种混合集成电路装置的制造方法，其特征在于，包括下述工序：准备至少表面被绝缘处理的混合集成电路衬底的工序；在所述衬底上形成导电图形的工序；在所述导电图形上安装半导体元件或无源元件的工序；从背面冲切所述衬底的工序；用铝细线将所述半导体元件或无源元件和所述导电图形电连接的工序；在所述衬底上连接作为输出或输入并向外部延伸的导线的工序；通过传递模模装用热硬性树脂一体模装所述衬底的工序。

18、如权利要求17所述的混合集成电路装置的制造方法，其特征在于，从背面冲切所述衬底的工序是在形成所述导电图形的面侧形成毛边的工序。

19、如权利要求17或18所述的混合集成电路装置的制造方法，其特征在于，从背面冲切所述衬底的工序在所述衬底的冲切面的至少冲切部周边形成曲面。

20、如权利要求17所述的混合集成电路装置的制造方法，其特征在于，所述传递模模装工序将所述衬底的形成所述曲面的面侧配置在底面，利用所述曲面注入所述热硬性树脂。