[发明专利]磁存储器装置

权利要求书

1.一种磁存储器装置，其特征在于，具有

由显示强磁阻效应的1个存储元件及与所述存储元件连接的1个晶体管构成的存储单元、

与所述晶体管控制端子连接的字线、

通过所述晶体管与所述存储元件的一端连接的位线、

对多条所述位线共同设置的参考位线、以及

与所述位线及所述参考位线连接的放大器，

在读出数据时，利用所述放大器读出在所述位线与所述参考位线之间生成的电位差。

2.如权利要求1所述的磁存储器装置，其特征在于，

还具有与所述存储元件的另一端连接的辅助字线，所述辅助字线用来根据输入至所述字线的信号的上升沿时间，将所述存储元件的另一端的电位拉低为接地电位，

在使所述辅助字线下降至接地电位的过渡时间，利用所述放大器读出所述位线与所述参考位线之间产生的电位差。

3.如权利要求2所述的磁存储器装置，其特征在于，

使所述辅助字线下降至接地电位的过渡时间在所述位线电位及所述参考位线的电位变成接地电位之前。

4.如权利要求1所述的磁存储器装置，其特征在于，

所述放大器对多条所述位线共同设置。

5.如权利要求1所述的磁存储器装置，其特征在于，

所述显示强磁阻效应的1个存储元件包含第1磁性层、以及与所述第1磁性层隔着绝缘阻挡层相对配置，而且比所述第1磁性层难于翻转的第2磁性层。

6.如权利要求1所述的磁存储器装置，其特征在于，

所述参考位线包含在每条所述字线上设置的参考存储单元，

所述参考存储单元包含1个第1电阻元件及与所述第1电阻元件连接的1个晶体管。

7.如权利要求6所述的磁存储器装置，其特征在于，

所述参考存储单元的第1电阻元件具有所述存储元件磁化方向平行时的电阻与反向平行时的电阻值的中间电阻值。

8.如权利要求7所述的磁存储器装置，其特征在于，

所述参照单元的第1电阻元件包含具有所述存储元件磁化方向平行时的电阻值并显示强磁阻效应的2个第2电阻元件、以及具有所述存储元件磁化方向反向平行时的电阻值并显示强磁阻效应的2个第3电阻元件，

所述第2电阻元件与所述第3电阻元件分别串联连接，同时所述串联连接的2组第2电阻元件及第3电阻元件并联连接。

9.如权利要求8所述的磁存储器装置，其特征在于，

所述存储单元的存储元件包含TMR元件，

所述参考存储单元的第2电阻元件及第3电阻元件包含TMR元件。

10.如权利要求7所述的磁存储器装置，其特征在于，

所述参考存储单元的第1电阻元件包含具有所述存储元件磁化方向平行时的电阻值的大约1/2电阻值并显示强磁阻效应的1个第2电阻元件、以及具有所述存储元件磁化方向反向平行时的电阻值的大约1/2电阻值并显示强磁阻效应的1个第3电阻元件，

所述第2电阻元件与所述第3电阻元件串联连接。

11.如权利要求10所述的磁存储器装置，其特征在于，

所述存储单元的存储元件包含TMR元件，

所述参考存储单元的第2电阻元件及第3电阻元件包含TMR元件。

12.如权利要求11所述的磁存储器装置，其特征在于，

所述参考存储单元的第2电阻元件及第3电阻元件具有所述存储单元的存储元件的2倍面积。

13.如权利要求6所述的磁存储器装置，其特征在于，

所述参考存储单元的第1电阻元件具有实际上与所述存储元件磁化方向平行时的电阻值及反向平行时的电阻值中的某一个相同的电阻值。

14.如权利要求13所述的磁存储器装置，其特征在于，

所述位线的负载电容与所述参考位线的负载电容不同。

15.如权利要求13所述的磁存储器装置，其特征在于，

构成所述放大器的一对晶体管的栅极宽度互不相同。

16.如权利要求13所述的磁存储器装置，其特征在于，

所述参考存储单元的第1电阻元件具有实际上与所述存储元件磁化方向平行时的电阻值相同的电阻值。