[发明专利]半导体器件及其生产方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包含：

半导体基片；

在所述半导体基片一个表面上形成的电子元件；

在所述一个表面上形成的并与所述电子元件电连接的电极垫片；

穿过所述电极垫片和所述半导体基片的通孔；

在至少是所述半导体基片的另一表面上、所述通孔的内壁以及所述电极垫片上形成的绝缘膜；

在所述电极垫片上的所述绝缘膜中沿所述通孔的开口边缘提供的通路孔；以及

互连图案，通过所述通孔和所述通路孔把所述电极垫片电引导到所述半导体基片的另一表面。

2.如权利要求1中提出的半导体器件，其中所述通路孔是环形的。

3.如权利要求1中提出的半导体器件，其中所述通路孔是弧形的。

4.如权利要求3中提出的半导体器件，其中提供多个所述通路孔。

5.如权利要求1中提出的半导体器件，其中所述通路孔是点形的，并提供多个所述通路孔。

6.如权利要求1中提出的半导体器件，其中所述通孔在穿过所述电极垫片部分的直径大于在穿过所述半导体基片部分的直径。

7.如权利要求1中提出的半导体器件，其中所述电极垫片有含有第一金属的底电极垫片和在所述底电极垫片上形成的含有第二金属的顶电极垫片，该第二金属的熔点比所述第一金属的熔点高。

8.如权利要求7中提出的半导体器件，其中所述第一金属是铝，所述第二金属是铜。

9.如权利要求1中提出的半导体器件，其中所述互连图案还把所述电极垫片电引导到所述半导体基片的一个表面。

10.一个半导体模块，包含多个如权利要求9中提出的半导体器件，它们叠加在一起，并通过外部连接端子使每个底半导体器件和顶半导体器件的相对表面的互连图案电连接。

11.如权利要求1中提出的半导体器件，其中所述通孔以导体填充，该导体与所述互连图案电连接。

12.一个半导体模块，包含多个如权利要求11中提出的半导体器件，它们叠加在一起，并通过外部连接端子使每个底半导体器件和顶半导体器件的相应通孔中填充的导体电连接。

13.一种生产半导体器件的方法，包含如下步骤：

在半导体基片的一个表面上形成电子元件；

在该半导体基片的所述一个表面上形成与所述电子元件电连接的电极垫片；

形成穿过所述电极垫片和所述半导体基片的通孔；

在至少是所述半导体基片的另一表面、所述通孔的内壁和所述电极垫片上形成绝缘膜；

在绝缘膜上形成图案，从而沿着所述通孔的开口边缘形成通路孔，以暴露部分所述电极垫片；

在所述绝缘膜上和所述通路孔中形成导体膜；以及

对所述导体膜形成图案以形成互连图案，该互连图案把所述电极垫片经由所述通孔和所述通路孔引导到所述半导体基片的另一表面。

14.如权利要求13中提出的生产半导体器件的方法，其中

所述形成通孔的步骤包括如下步骤：

通过形成图案在所述电极垫片中形成第一开口以及

通过所述第一开口发射激光束，从而在包括所述电子元件的半导体基片中形成第二开口，该激光束的直径小于所述第一开口的直径，

所述通孔由所述第一开口和所述第二开口确定。

15.如权利要求14中提出的生产半导体器件的方法，其中在形成第一开口的步骤和形成第二开口的步骤之间包括一个研磨该半导体基片另一表面的步骤，以减小半导体基片的厚度。

16.如权利要求13中提出的生产半导体器件的方法，其中形成通路孔的步骤是以激光束在所述绝缘膜上开口来实现的。

17.如权利要求16中提出的生产半导体器件的方法，其中在所述绝缘膜上发射环形激光束，从而形成环形通路孔。

18.如权利要求16或权利要求17中提出的生产半导体器件的方法，其中所述形成电极垫片的步骤包括形成包含第一金属的底电极垫片和形成包含第二金属的顶电极垫片的步骤，该第二金属的熔点高于所述底电极垫片上的所述第一金属的熔点。