[发明专利]具有动态老化测试功能的单片机及其动态老化测试方法

权利要求书

1.一种单片机，包括：

非易失性半导体存储装置(11A，11B)；

写入、读出和擦除电路(12A、12B、13A、13B、14A、14B)，与所述非易失性半导体存储装置相连，用于对所述非易失性半导体存储装置分别执行写入操作、读出操作和擦除操作；

接口(16A，16B)；

序列发生器，连接在所述写入、读出和擦除电路与所述接口之间，用于通过所述接口从外部接收第一数据并把所述第一数据写入所述非易失性半导体存储装置中，从所述非易失性半导体存储装置读出所述第一数据以把所述第一数据与通过所述接口从外部读取的第二数据进行比较，由此执行对所述非易失性半导体存储装置的验证，从所述非易失性半导体存储装置读出第三数据，并通过所述接口把第三数据传输到外部。

2.如权利要求1所述的单片机，其特征在于，把测试程序写入所述非易失性半导体存储装置以利用所述测试程序来操作所述单片机，

在所述单片机运行之后和在所述第一数据被写入所述非易失性半导体存储装置之前，所述序列发生器使得所述擦除电路执行对所述非易失性半导体存储装置的快速擦除操作。

3.如权利要求1所述的单片机，其特点在于，所述序列发生器包括：

地址生成器(151，152)，连接在所述接口与所述写入和读出电路之间，用于从所述接口接收中断信号(INT)以生成地址(ADD)并把所述地址传送到所述写入和读出电路；和

错误检测单元(153、154、155、156)，与所述读出电路和所述接口相连，用于把所述第一数据与所述第二数据进行比较，以在所述第一数据与所述第二数据不一致时产生错误信号(ERA，ERB)。

4.如权利要求1所述的单片机，其特征在于，所述序列发生器包括模式解码器(157)，与所述写入、读出和擦除电路相连，用于从外部接收模式信号(MDA，MDB)以操作所述写入、读出和擦除电路。

5.如权利要求1所述的单片机，其特征在于，所述序列发生器包括“或”逻辑电路(158)，与所述读出电路和所述接口相连，用于对从所述读出电路读出的所述第一数据和从所述接口读出的所述第二数据执行“或”逻辑运算，并通过所述接口把所述“或”逻辑运算的结果传送到外部。

6.如权利要求1所述的单片机，其特征在于，所述序列发生器包括逻辑电路(161)，与所述写入电路相连，用于在所述写入和读出电路运行时产生“0”逻辑信号并通过所述接口把所述“0”逻辑信号传送到外部。

7.如权利要求3所述的单片机，其特征在于，所述序列发生器包括逻辑电路(159，160)，与所述读出电路、所述错误检测电路和所述接口相连，用于在所述错误信号未产生时对从所述读出电路读出的所述第一数据和从所述接口读出的所述第二数据执行第一“或”逻辑运算以通过所述接口把所述第一“或”逻辑运算的结果传送到外部，并且还用于对“0”逻辑信号和从所述接口读出的所述第二数据执行第二“或”逻辑运算以把所述第二“或”逻辑运算的结果传送到外部，

在所述错误信号产生之后，所述序列发生器使得所述擦除电路执行对所述半导体存储装置的快速擦除操作。

8.一种单片机，包括：

非易失性半导体存储装置(11A，11B)；

写入、读出和擦除电路(12A、12B、13A、13B、14A、14B)，与所述非易失性半导体存储装置相连，用于对所述非易失性半导体存储装置分别执行写入操作、读出操作和擦除操作；

接口(16A，16B)；

序列发生器装置，用于通过所述接口从外部接收第一数据以把所述第一数据写入所述非易失性半导体存储装置中，从所述非易失性半导体存储装置读出所述第一数据以把所述第一数据与通过所述接口从外部读出的第二数据进行比较，由此执行对所述非易失性半导体存储装置的验证，从所述非易失性半导体存储装置读出第三数据，并通过所述接口把第三数据传输到外部。

9.如权利要求8所述的单片机，其特征在于，测试程序被写入所述非易失性半导体存储装置中，以利用所述测试程序来操作所述单片机，

在所述单片机运行之后和在所述第一数据被写入所述非易失性半导体存储装置之前，所述序列发生器装置使得所述擦除电路执行对所述非易失性半导体存储装置的快速擦除操作。