[发明专利]有源矩阵液晶显示装置及制造方法和材料无效

专利信息
申请号: 02116456.8 申请日: 2002-04-05
公开(公告)号: CN1371017A 公开(公告)日: 2002-09-25
发明(设计)人: 闫东航;袁剑峰;王刚;张坚;王军 申请(专利权)人: 中国科学院长春应用化学研究所
主分类号: G02F1/133 分类号: G02F1/133;G02F1/136
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 130022 *** 国省代码: 吉林;22
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摘要:
搜索关键词: 有源 矩阵 液晶 显示装置 制造 方法 材料
【权利要求书】:

1、一种有源矩阵液晶显示器件,其特征在于,为有机薄膜晶体管驱动控制液晶显示单元;在有源矩阵液晶显示器的下基板上具有多条栅线和与该栅线垂直交叉的多条信号线形成矩阵象素显示,其中,每个象素具有一个有机薄膜晶体管(OTFT)、象素电容和象素电极,每个OTFT栅极与栅线相联,每个OTFT源极与信号线相联,每个OTFT漏极与象素电极相联;液晶层被夹在上下极板之间,上极板上镀有公共透明电极。

2、如权利要求1所述的液晶显示器件,其特征在于,显示单元采用扭曲向列液晶。

3、如权利要求1所述的液晶显示器件,其特征在于,所述基板为玻璃或为柔性塑料。

4、制备如权利要求1所述的有源矩阵液晶显示装置的方法,其中有机薄膜晶体管的主要制备步骤为:

1)溅射蒸镀栅线和栅电极,并光刻成型;用于制备栅线和栅电极的材料为Ta、W、Ti、Mo中的一种或任意二种的合金金属;

2)溅射蒸镀栅绝缘膜;该绝缘膜为Ta2O5、Al2O3、TiO2、SiO2、氧化硅或氮化硅中的一种或任意二种;

3)溅射蒸镀透明电极(ITO)像素电极并光刻成型;

4)分子气相沉积制备有机半导体薄膜,在有机薄膜上热蒸发信号线和源、漏电极并采用光刻胶为掩模漏板的剥离技术直接图形化;其信号线和源、漏电极材料为Au、Ag、Al、Ba、Ti或Mo;

5)将一层水溶性高分子保护膜兼液晶分子取向层聚乙烯醇旋涂在矩阵板的上面;

6)封装液晶盒。

5、如权利要求4所述的制备方法,其特征在于,所述有机薄膜晶体管在室温下载流子迁移率为0.01平方厘米每伏每秒(cm2/Vs)以上,开关电流比在105以上,阈值电压15伏以下。

6、如权利要求4所述的有机薄膜晶体管,其特征在于,所述绝缘层膜为Ta2O5、Al2O3、TiO2、SiO2、氧化硅、氮化硅、(说明书中没有)聚甲基丙烯酸甲酯、聚酰氩胺或环氧树脂中的一种或任何二种。

7、用于制备权利要求1所述的液晶显示器件的材料,其中有机薄膜晶体管的材料为高度有序结晶的酞菁铜、酞菁锌、酞菁镍、氟代酞菁铜、氟代酞菁铬、并五苯、五噻吩或六噻吩。

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