[发明专利]形成芯片保护膜的片材以及制造半导体芯片的方法

权利要求书

1.一种形成芯片保护膜的片材，该片包括隔离片和在该隔离片的可分离表面上形成的保护膜形成层，其中，所述保护膜形成层包括热固性组分或能量射线可固化的组分以及粘合剂聚合物组分。

2.一种形成芯片保护膜的片材，该片包括隔离片和在该隔离片的可分离表面上形成的保护膜形成层，其中，所述保护膜形成层包括热固性组分、能量射线可固化的组分和粘合剂聚合物组分。

3.如权利要求1或2所述的形成芯片保护膜的片材，其特征在于所述粘合剂聚合物组分包括丙烯酸类聚合物。

4.如权利要求1或2所述的形成芯片保护膜的片材，其特征在于所述热固性组分包括环氧树脂。

5.如权利要求1或2所述的形成芯片保护膜的片材，其特征在于所述能量射线可固化的组分包括紫外线可固化的树脂。

6.一种制造背面有保护膜的半导体芯片的方法，该方法包括：

将如权利要求1-5中任一权利要求所述的用于形成芯片保护膜的片材上的保护膜形成层粘合在其表面有电路的半导体晶片的背面，之后以任意顺序再进行下列步骤1-3：

步骤1：从保护膜形成层分离隔离片；

步骤2：通过加热或能量射线辐射，固化保护膜形成层；

步骤3：根据各电路同时切割保护膜形成层和半导体晶片。

7.一种制造背面有保护膜的半导体芯片的方法，该方法包括：

将如权利要求2所述的用于形成芯片保护膜的片材上的保护膜形成层粘合在其表面有电路的半导体晶片的背面，

通过辐射能量射线固化保护膜形成层，之后以任意顺序再进行下列步骤1-3：

步骤1：从保护膜形成层上分离隔离片；

步骤2：通过加热，进一步固化保护膜形成层；

步骤3：根据各电路同时切割保护膜形成层和半导体晶片。