[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于包括：

半导体衬底(11)；

多个凸点电极(16)，形成在所述半导体衬底(11)上；

第1密封膜(17)，形成在所述凸点电极(16)间的所述半导体衬底(11)上，上表面与所述凸点电极(16)的上表面基本上为同一表面；以及

第2密封膜(18)，形成在所述第1密封膜(17)上，在与所述凸点电极(16)的上表面对应的位置上有开口部(19)。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，在所述第2密封膜(18)的开口部(19)内和其上侧形成低熔点金属层(20)。

3.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述低熔点金属层(20)是焊料球。

4.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第2密封膜(18)的开口部(19)的平面尺寸比所述凸点电极(16)的平面尺寸大。

5.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第2密封膜(18)的开口部(19)的侧面形成向上方扩大的倾斜形状。

6.一种如下构成的半导体器件，其特征在于包括：

半导体衬底(11)；

多个凸点电极(16)，形成在所述半导体衬底(11)上；以及

密封膜(21)，形成在所述凸点电极(16)间的所述半导体衬底(11)上，具有处于比所述凸点电极(16)的上表面位置高的位置的上表面和露出所述各凸点电极(16)的上表面的开口部(19)。

7.如权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，在所述密封膜(21)的开口部(19)内和其上侧形成低熔点金属层(20)。

8.如权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，所述低熔点金属层(20)是焊料球。

9.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，在半导体衬底(11)上形成凸点电极(16)，在包含所述凸点电极(16)的所述半导体衬底(11)上，形成第1密封膜(17)，通过对所述第1密封膜(17)的上表面侧和所述凸点电极(16)的上表面侧进行研磨，使所述凸点电极(16)的上表面露出，并且使该露出的凸点电极(16)的上表面与所述第1密封膜(17)的上表面为同一平面，在所述第1密封膜(17)上形成第2密封膜(18)，使其在与所述凸点电极(16)的上表面对应的位置上有开口部(19)。

10.如权利要求9所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，将所述凸点电极(16)的上表面侧研磨5～20μm左右。

11.如权利要求9所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，通过丝网印刷法或光刻法来形成所述第2密封膜(18)。

12.如权利要求9所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述第2密封膜(18)的开口部(19)内和其上侧形成低熔点金属层(20)。

13.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，在半导体衬底(11)上形成凸点电极(16)，在包含所述凸点电极(16)的所述半导体衬底(11)上形成比所述凸点电极(16)的高度厚的密封膜(21)，在所述密封膜(21)上形成使所述凸点电极(16)的上表面露出的开口部(19)。

14.如权利要求13所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，通过在光致抗蚀剂膜的规定位置形成开口部，并在该开口部内进行电镀来形成所述凸点电极(16)。

15.如权利要求14所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在除去所述光致抗蚀剂膜后，进行与所述凸点电极(16)的高度一致的处理。

16.如权利要求13所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在对所述密封膜(21)的上表面进行了平坦处理后，在所述密封膜(21)上形成所述开口部(19)。

17.如权利要求13所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，通过激光照射来形成所述开口部(19)。