[发明专利]开关电路装置

权利要求书

1.一种开关电路装置，其特征在于：

包括1个公用输入端点；第1和第2输出端点；1个控制端点；与上述公用输入端点和上述第1输出端点连接的第1开关元件；与上述公用输入端点和上述第2输出端点连接的第2开关元件；向上述第1输出端点或上述公用输入端点供给规定的偏压的偏压装置；连接上述1个控制端点和上述第2开关元件的连接装置；与上述公用输入端点连接的隔离装置；以及与上述第2开关元件连接的接地装置，从上述1个控制端点向上述第1 FET施加控制信号。

2.如权利要求1所述的开关电路装置，其特征在于：

上述偏压装置向上述第1输出端点或上述公用输入端点一直施加恒定的电压。

3.如权利要求2所述的开关电路装置，其特征在于：

上述偏压装置一直提供恒定的正直流电压。

4.如权利要求1所述的开关电路装置，其特征在于：

上述隔离装置用电容器形成。

5.一种化合物半导体开关电路装置，其特征在于：

包括在沟道层表面设置了源电极、栅电极和漏电极的第1和第2FET；与上述两FET的源电极或漏电极连接的公用输入端点；与上述两FET的漏电极或源电极连接的第1和第2输出端点；与上述第1 FET的栅电极连接的控制端点；向上述第1 FET的上述第1输出端点或上述公用输入端点供给恒定偏压的偏压装置；连接上述控制端点和上述第2FET的漏电极或源电极的连接装置；使上述第2 FET的栅电极接地的接地装置；以及在上述公用输入端点和上述第2 FET的源电极或漏电极之间隔直流的隔离装置，向上述控制端点施加控制信号。

6.如权利要求5所述的化合物半导体开关电路装置，其特征在于：

上述偏压装置向上述第1输出端点或上述公用输入端点一直施加恒定的电压。

7.如权利要求6所述的化合物半导体开关电路装置，其特征在于：

上述偏压装置一直提供恒定的正直流电压。

8.如权利要求5所述的化合物半导体开关电路装置，其特征在于：

上述隔离装置用电容器形成。

9.如权利要求5所述的化合物半导体开关电路装置，其特征在于：

上述第1和第2 FET由与上述沟道层呈肖特基接触的栅电极，以及与上述沟道层呈欧姆接触的源、漏电极构成。

10.如权利要求5所述的化合物半导体开关电路装置，其特征在于：

用MESFET形成上述第1和第2 FET。

11.如权利要求5所述的化合物半导体开关电路装置，其特征在于：

在同一半导体衬底上集成化地形成上述第1和第2 FET，上述偏压装置和隔离装置以外接的方式形成。

12.如权利要求5所述的化合物半导体开关电路装置，其特征在于：

在同一半导体衬底上集成上述第1和第2 FET，并且上述偏压装置和隔离装置中的至少一方也集成在上述同一半导体衬底上。