[发明专利]清除FAMOS存储单元及相应存储单元的方法

权利要求书

1.一种清除FAMOS存储单元的方法，其特征在于所述的存储单元(CM)以电气方式清除。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，单元(CM)包括在半导体基片上形成的PMOS晶体管，存储单元通过向基片施加比向源极和漏极施加的电压中的比较低的电压至少高4伏的电压来清除，并且所施加电压低于预定的限制值，高于此值单元就会被毁。

3.根据权利要求2的所述方法，其特征在于，向基片施加比向源极和漏极施加的电压中的较低的电压至少高6伏的电压(VB)。

4，根据权利要求2或3所述的方法，其特征在于，预定的限制电压的数量级为10伏。

5.根据权利要求2至4任一权利要求所述的方法，其特征在于在源极与漏极之间施加非零的正压差。

6.根据权利要求5的所述方法，其特征在于，电压施加于源极并且电压施加于漏极，乃致源极电压与漏极电压间的差值低于预定的阀值。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述预定阀值的数量级为1伏。

8.根据权利要求2至4中任一权利要求所述的方法，其特征在于，在清除期间，可变的压差被施加于源极与漏极之间。

9.根据前面的任一权利要求所述的方法，其特征在于，存储单元的PMOS晶体管有环状结构，在中心处包括由栅极(20)围绕的电极(10)和外围电极(30)。

10.一种存储设备，包括FAMOS存储单元，其特征在于存储单元(CM)是用电气方式清除的。

11.根据权利要求10所述的设备，其特征在于，单元包括在半导体基片上形成的PMOS晶体管，设备包括清除装置(MEF)，用于向基片施加比施加于源极与漏极的电压中的较低的电压至少高4伏并且低于预定的限制电压的电压，超出限制电压单元就会被毁。

12.根据权利要求11所述的设备，其特征在于，清除装置(MEF)向基片提供比向源极与漏极提供的电压中的较低的电压至少高6伏的电压。

13.根据权利要求11或12所述的设备，其特征在于，预定的限制电压的数量级为10伏。

14.根据权利要求11至13中的任一权利要求所述的设备，其特征在于，清除装置用于向源极提供电压并向漏极提供电压，乃至源极电压与漏极电压间的差值是非零的正值。

15.根据权利要求14所述的设备，其特征在于，清除装置用于向源极提供电压并向漏极提供电压，乃至源极电压与漏极电压之间的差值小于预定的阀值。

16.根据权利要求15所述的设备，其特征在于，所述的预定阀值数量级为1伏。

17.根据权利要求11至13的任一权利要求所述的设备，其特征在于，清除装置用于在清除期间在源极与漏极之间提供可变的电压差。

18.根据权利要求10至17的任一权利要求所述的设备，其特征在于，存储单元的PMOS晶体管有环状结构，包括在中心位置由栅极(20)围绕的电极和外围电极(30)。

19.根据权利要求10至18的任一权利要求所述的设备，其特征在于，设备包括把数据写入存储单元的编程装置，用于读出存储单元内容的读出装置，以及用于把编程，读出与清涂装置有选择地与存储单元连接的控制装置。

20.根据权利要求11至19的任一权利要求所述的设备，其特征在于，设备包括多个电可清除的FAMOS存储单元。

21.一种集成电路，包括根据权利要求10至20中任一权利要求的存储设备。