[发明专利]被覆的R-T-B系磁铁及其制造方法无效
| 申请号: | 01802052.6 | 申请日: | 2001-07-17 |
| 公开(公告)号: | CN1386145A | 公开(公告)日: | 2002-12-18 |
| 发明(设计)人: | 星裕之;安藤节夫 | 申请(专利权)人: | 日立金属株式会社 |
| 主分类号: | C23C22/42 | 分类号: | C23C22/42;H01F1/04;H01F41/02 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 范明娥,张平元 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 被覆 磁铁 及其 制造 方法 | ||
1.一种被覆的R-T-B系磁铁,其特征是,在以R2T14B金属间化合物(R为包括Y的稀元素中的至少1种,T是Fe或Fe和Co)为主相的R-T-B系磁铁上,具有一种含Mo的氧化物及R的氢氧化物的化学涂层保护膜。
2.一种被覆的R-T-B系磁铁,其特征是,在权利要求1所述的被覆的R-T-B系磁铁中,上述Mo的氧化物实质上是由非晶质的MoO2构成的。
3.一种被覆的R-T-B系磁铁,其特征是,在权利要求1或2所述的覆盖的R-T-B系磁铁中,在所述的化学涂层保护膜上有树脂保护膜。
4.一种覆盖的R-T-B系磁铁,其特征是,在权利要求3所述的被覆的R-T-B系磁铁中,在所述化学涂层保护膜上,通过偶合剂的保护膜有树脂保护膜。
5.一种被覆的R-T-B系磁铁,其特征是,在以R2T14B金属间化合物(R为包括Y的稀有元素中的至少1种,T是Fe或Fe和Co)为主相的R-T-B系磁铁上,形成一种含有焦磷酸、R的氢氧化物及Mo的氧化物的化学涂层保护膜。
6.一种被覆的R-T-B系磁铁,其特征是,在权利要求5所述的被覆的R-T-B系磁铁中,所述Mo的氧化物实质上是由非晶质的MoO2构成的。
7.一种被覆的R-T-B系磁铁,其特征是,在权利要求5或6所述的被覆的R-T-B系磁铁中,在所述化学涂层保护膜上,通过偶合剂保护膜形成树脂膜。
8.一种方法,其特征是,把以R2T14B金属间化合物(R为包括Y的稀有元素中的至少1种,T是Fe或Fe和Co)作为主相的R-T-B系磁铁,通过化学涂层处理,制造被覆的R-T-B系磁铁的方法中,把所述R-T-B系磁铁,用Mo和P的摩尔比Mo/P为12~60,以磷钼酸离子作为主成分,pH调至4.2~6的化学涂层处理液进行化学涂层处理。
9.一种方法,其特征是,在权利要求8所述的被覆的R-T-B系磁铁的制造方法中,在化学涂层保护膜上形成树脂保护膜。
10.一种方法,其特征是,在权利要求8所述的被覆的R-T-B系磁铁制造方法中,把化学涂层保护膜用偶合剂进行表面处理后,形成树脂保护膜。
11.一种方法,其特征是,把以R2T14B金属间化合物(R为包括Y的稀土元素中的至少1种,T是Fe或Fe和Co)为主相的R-T-B系磁铁,通过化学涂层处理的被覆的R-T-B系磁铁的方法中,把所述R-T-B系磁铁,用Mo和P的摩尔比Mo/P为0.3~0.9,以磷酸离子作为主成分,pH调至2~5.8的化学涂层处理液进行化学涂层处理。
12.一种方法,其特征是,在权利要求11所述的被覆的R-T-B系磁铁的制造方法中,化学涂层保护膜用偶合剂进行表面处理后形成树脂保护膜。
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