[发明专利]被覆的R-T-B系磁铁及其制造方法无效

专利信息
申请号: 01802052.6 申请日: 2001-07-17
公开(公告)号: CN1386145A 公开(公告)日: 2002-12-18
发明(设计)人: 星裕之;安藤节夫 申请(专利权)人: 日立金属株式会社
主分类号: C23C22/42 分类号: C23C22/42;H01F1/04;H01F41/02
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 范明娥,张平元
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 被覆 磁铁 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种被覆的R-T-B系磁铁,其特征是,在以R2T14B金属间化合物(R为包括Y的稀元素中的至少1种,T是Fe或Fe和Co)为主相的R-T-B系磁铁上,具有一种含Mo的氧化物及R的氢氧化物的化学涂层保护膜。

2.一种被覆的R-T-B系磁铁,其特征是,在权利要求1所述的被覆的R-T-B系磁铁中,上述Mo的氧化物实质上是由非晶质的MoO2构成的。

3.一种被覆的R-T-B系磁铁,其特征是,在权利要求1或2所述的覆盖的R-T-B系磁铁中,在所述的化学涂层保护膜上有树脂保护膜。

4.一种覆盖的R-T-B系磁铁,其特征是,在权利要求3所述的被覆的R-T-B系磁铁中,在所述化学涂层保护膜上,通过偶合剂的保护膜有树脂保护膜。

5.一种被覆的R-T-B系磁铁,其特征是,在以R2T14B金属间化合物(R为包括Y的稀有元素中的至少1种,T是Fe或Fe和Co)为主相的R-T-B系磁铁上,形成一种含有焦磷酸、R的氢氧化物及Mo的氧化物的化学涂层保护膜。

6.一种被覆的R-T-B系磁铁,其特征是,在权利要求5所述的被覆的R-T-B系磁铁中,所述Mo的氧化物实质上是由非晶质的MoO2构成的。

7.一种被覆的R-T-B系磁铁,其特征是,在权利要求5或6所述的被覆的R-T-B系磁铁中,在所述化学涂层保护膜上,通过偶合剂保护膜形成树脂膜。

8.一种方法,其特征是,把以R2T14B金属间化合物(R为包括Y的稀有元素中的至少1种,T是Fe或Fe和Co)作为主相的R-T-B系磁铁,通过化学涂层处理,制造被覆的R-T-B系磁铁的方法中,把所述R-T-B系磁铁,用Mo和P的摩尔比Mo/P为12~60,以磷钼酸离子作为主成分,pH调至4.2~6的化学涂层处理液进行化学涂层处理。

9.一种方法,其特征是,在权利要求8所述的被覆的R-T-B系磁铁的制造方法中,在化学涂层保护膜上形成树脂保护膜。

10.一种方法,其特征是,在权利要求8所述的被覆的R-T-B系磁铁制造方法中,把化学涂层保护膜用偶合剂进行表面处理后,形成树脂保护膜。

11.一种方法,其特征是,把以R2T14B金属间化合物(R为包括Y的稀土元素中的至少1种,T是Fe或Fe和Co)为主相的R-T-B系磁铁,通过化学涂层处理的被覆的R-T-B系磁铁的方法中,把所述R-T-B系磁铁,用Mo和P的摩尔比Mo/P为0.3~0.9,以磷酸离子作为主成分,pH调至2~5.8的化学涂层处理液进行化学涂层处理。

12.一种方法,其特征是,在权利要求11所述的被覆的R-T-B系磁铁的制造方法中,化学涂层保护膜用偶合剂进行表面处理后形成树脂保护膜。

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