[发明专利]半导体模块及其制造方法

权利要求书

1.半导体模块，它包含：

至少一个包括半导体芯片的电元件，

与电元件电连接的导电层，

分布于电元件和导电层之间的导电连接点，以便使电元件和导电层彼此电连接，

模制树脂，它至少部分地覆盖电元件和导电连接点，和

电绝缘层，它至少部分地与导电层接触。

2.根据权利要求1的半导体模块，其中导电层包括在导电层厚度方向上彼此相对的前表面和后表面，前表面面对电元件，后表面不面对电元件，后表面上的镍浓度高于前表面上的镍浓度。

3.根据权利要求1的半导体模块，其中导电层包括镍基金属第一层，和铜基金属第二层至少部分地在第一层和电元件之间延伸。

4.根据权利要求3的半导体模块，其中使电绝缘层和第二层的一部分在与导电层的厚度方向垂直的方向上并列，使得不面对电元件的电绝缘层的表面和第二层的这部分表面都沿着共同的平面延伸。

5.根据权利要求4的半导体模块，其中第一层沿着共同的平面在电绝缘层的表面上延伸。

6.根据权利要求3的半导体模块，其中不面对电元件的第一层的表面在电元件和不面对电元件的电绝缘层的表面之间沿着导电层的厚度方向延伸。

7.根据权利要求3的半导体模块，它进一步包括与不面对电元件的第一层的表面接触的焊料。

8.根据权利要求1的半导体模块，它进一步包括在不面对电元件的电绝缘层的表面上延伸的镍基金属膜。

9.根据权利要求1的半导体模块，它进一步包括在不面对电元件的电绝缘层的表面上延伸的金属膜，其中金属膜与导电层电连接。

10.根据权利要求1的半导体模块，它进一步包括在不面对电元件的电绝缘层的表面上延伸的金属膜，其中金属膜是可磁渗透的。

11.根据权利要求1的半导体模块，其中半导体模块包含多个电元件，这些电元件包括半导体芯片，和至少晶体管，二极管，电阻，电感，电容，晶体振荡器，滤波器，平衡不平衡变换器，天线，电路模块和接口连接器之一。

12.用于制造半导体模块的方法，它包含下列步骤：

制备基片，该基片包括镀有镍基金属以便在金属表面上形成镍基金属膜的金属表面，

在镍基金属膜上形成电绝缘层和导电层，

通过安排在电元件和导电层之间的导电连接点使导电层与电元件电连接，

用模制树脂覆盖至少一部分的电元件和至少一部分的导电连接点，和接着，

从金属表面移去镍基金属膜，使得镍基金属膜，电绝缘层，导电层，导电连接点和模制树脂的组合与金属表面分开。

13.根据权利要求12的方法，其中在形成电绝缘层和导电层的步骤中，在镍基金属膜上形成导电层前，在镍基金属膜的一部分上形成电绝缘层，接着，在其上没有电绝缘膜的镍基金属膜的另一部分上电镀导电材料，同时给镍基金属膜加电来用导电材料电镀镍基金属膜，使得在镍基金属膜上形成导电层。

14.根据权利要求12的方法，其中在形成电绝缘层和导电层的步骤中，在镍基金属膜上形成导电层前，在镍基金属膜的一部分上形成电绝缘层，通过溅射在电绝缘层和其上没有电绝缘层的镍基金属膜的另一部分上形成金属膜，用导电材料电镀金属膜，同时给金属膜加上电能来用导电材料电镀金属膜，使得在金属膜上形成导电层。

15.根据权利要求12的方法，其中镍基金属膜的厚度为5-20μm。

16.根据权利要求12的方法，它进一步包括在通过从镍基金属膜的表面移去金属表面曝露出镍基金属膜的表面后，在镍基金属膜的表面的至少一部分上形成另电绝缘层的步骤。

17.根据权利要求12的方法，它进一步包括在通过从镍基金属膜的表面移去金属表面曝露出镍基金属膜的表面后，从该组合移去镍基金属膜的至少一部分的步骤。

18.根据权利要求17的方法，其中在从该组合移去镍基金属膜的该部分后，镍基金属膜的另部分保留在导电层的一部分上并与导电层电连接，而镍基金属膜的另一部分延伸到电绝缘层的一部分上。