[发明专利]电子照相光电导体及其制造方法有效
| 申请号： | 01121138.5 | 申请日： | 2001-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN1327177A | 公开（公告）日： | 2001-12-19 |
| 发明（设计）人： | 佐佐木辉夫;中村洋一;铃木信二郎 | 申请（专利权）人： | 富士电机影像器材有限公司 |
| 主分类号： | G03G5/04 | 分类号： | G03G5/04 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 朱黎明 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电子 照相 光电 导体 及其 制造 方法 | ||
1.一种电子照相光电导体，所述电子照相光电导体在导电基片上具有光敏层，该光敏层至少含有酞菁化合物作为电荷产生物质，其特征在于：包含第一酞菁化合物主要组分和第二酞菁化合物电荷产生物质次要组分，所述第二酞菁化合物的负电荷产生性高于第一酞菁化合物的负电荷产生性。
2.如权利要求1所述的电子照相光电导体，其特征在于所述第一酞菁化合物和所述第二酞菁化合物中至少有一种的中心元素是钛。
3.如权利要求2所述的电子照相光电导体，其特征在于所述第一酞菁化合物和第二酞菁化合物中至少有一种是钛氧基酞菁。
4.如权利要求1所述的电子照相光电导体，其特征在于所述第一酞菁化合物和所述第二酞菁化合物中至少有一种的中心元素是镓。
5.如权利要求1所述的电子照相光电导体，其特征在于所述第一酞菁化合物和所述第二酞菁化合物中至少有一种的中心元素是铟。
6.如权利要求1所述的电子照相光电导体，其特征在于所述第一酞菁化合物和所述第二酞菁化合物中至少有一种的中心元素是氢原子。
7.如权利要求6所述的电子照相光电导体，其特征在于所述第一酞菁化合物和第二酞菁化合物中至少有一种是29H，31H-酞菁。
8.如权利要求6或7所述的电子照相光电导体，其特征在于所述第一酞菁化合物和第二酞菁化合物中至少有一种是X-型无金属酞菁。
9.如权利要求1～8中任意一项所述的电子照相光电导体，其特征在于按1摩尔所述第一酞菁化合物计，所述第二酞菁化合物的含量不超过600mmol。
10.如权利要求9所述的电子照相光电导体，其特征在于按1摩尔所述第一酞菁化合物计，所述第二酞菁化合物的含量不超过200mmol。
11.一种电子照相光电导体的制造方法，它包括用含有电荷产生物质的涂料液涂覆导电基片形成光敏层的步骤，其中所述涂料液至少含有酞菁化合物，所述酞菁化合物含有第一酞菁化合物为主要组分及负电荷产生性高于所述第一酞菁化合物的负电荷产生性的第二酞菁化合物为次要组分。
12.如权利要求11所述的电子照相光电导体的制造方法，其特征在于在用激光电离飞行时间质谱分析法观察到的涂料液的光谱中，在阴离子测量中所述第二酞菁化合物与第一酞菁化合物的强度比大于阳离子测量中的强度比。
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