[发明专利]红外线检测元件及温度测定装置无效
| 申请号: | 01120877.5 | 申请日: | 2001-06-05 |
| 公开(公告)号: | CN1328251A | 公开(公告)日: | 2001-12-26 |
| 发明(设计)人: | 佐藤茂美;岩本修;盐原康弘;织田裕二 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号: | G01J5/00 | 分类号: | G01J5/00;G01J5/12 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 刘宗杰,叶恺东 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 红外线 检测 元件 温度 测定 装置 | ||
1.一种红外线检测元件,具有:基座,备有薄膜部及配置在该薄膜部周围的厚壁部;热电堆,将形成为使冷接点位于上述厚壁部的上部并使热接点位于上述薄膜部的上部的多个热电偶串联连接;及基准温度检测装置,备有与上述厚壁部接触的热敏部。
2.根据权利要求1所述的红外线检测元件,其特征在于:上述基座至少备有形成上述厚壁部的基部的半导体基板,上述热敏部,是在上述半导体基板上形成的PN结。
3.根据权利要求2所述的红外线检测元件,其特征在于:由上述PN结形成二极管。
4.根据权利要求2所述的红外线检测元件,其特征在于:备有多个上述PN结。
5.根据权利要求2所述的红外线检测元件,其特征在于:将上述多个PN结并列配置。
6.根据权利要求5所述的红外线检测元件,其特征在于:共用上述多个PN结的一个导电体层。
7.根据权利要求2所述的红外线检测元件,其特征在于:上述PN结在上述冷接点的下方形成。
8.根据权利要求2所述的红外线检测元件,其特征在于:上述PN结沿着上述薄膜部的周围形成。
9.根据权利要求8所述的红外线检测元件,其特征在于:在上述PN结的第1导电体层和第2导电体层的各上表面上,形成沿着该第1和第2导电体层延伸的电极。
10.根据权利要求1所述的红外线检测元件,其特征在于:具有与上述基座的厚壁部的上表面结合的第2基板,在上述基座的与上述第2基板的结合部和/或上述第2基板的与上述基座的结合部上,设置上述热敏部。
11.根据权利要求10所述的红外线检测元件,其特征在于:上述第2基板是半导体基板,上述热敏部,是在上述第2基板的结合部形成的PN结。
12.根据权利要求11所述的红外线检测元件,其特征在于:备有多个上述PN结。
13.根据权利要求11所述的红外线检测元件,其特征在于:上述多个PN结并列配置。
14.根据权利要求13所述的红外线检测元件,其特征在于:共用上述多个PN结的一个导电体层。
15.根据权利要求11所述的红外线检测元件,其特征在于:上述PN结配置在上述冷接点的上方。
16.根据权利要求11所述的红外线检测元件,其特征在于:上述PN结沿着上述结合部形成。
17.根据权利要求16所述的红外线检测元件,其特征在于:形成沿着上述PN结的这些第1导电体层和第2导电体层延伸的电极,使所述PN结与该第1和第2导电体层的各上表面接触。
18.根据权利要求1所述的红外线检测元件,其特征在于:在上述薄膜部上,还具有可以将红外线会聚在该薄膜部上的红外线透镜。
19.根据权利要求18所述的红外线检测元件,其特征在于:在上述薄膜部上,具有层叠的红外线吸收体,使其至少覆盖上述热接点或其附近,上述红外线透镜聚光于上述红外线吸收体。
20.根据权利要求18所述的红外线检测元件,其特征在于:上述红外线透镜与上述基座的厚壁部结合。
21.根据权利要求20所述的红外线检测元件,其特征在于:在上述基座的与上述红外线透镜的结合部和/或上述红外线透镜的与上述基座的结合部上,设置上述热敏部。
22.根据权利要求20所述的红外线检测元件,其特征在于:上述红外线透镜,通过对半导体基板进行蚀刻形成,上述热敏部,是在上述红外线透镜的结合部形成的PN结。
23.根据权利要求22所述的红外线检测元件,其特征在于:备有多个上述PN结。
24.根据权利要求23所述的红外线检测元件,其特征在于:上述多个PN结并列配置。
25.根据权利要求24所述的红外线检测元件,其特征在于:共用上述多个PN结的一个导电体层。
26.根据权利要求22所述的红外线检测元件,其特征在于:上述PN结配置在上述冷接点的上方。
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