[发明专利]具有电容器的半导体存储器件的制造方法

权利要求书

1、一种具有电容器的半导体存储器件的制造方法，其中该半导体存储器件包括一基底、形成在该基底上的一转移晶体管、以及一存储电容器电连接到该转移晶体管的漏极和源极区之一上，该制造方法包括下列步骤：

a.在该基底上形成一第一绝缘层，覆盖住该转移晶体管；

b.形成一第一导电层，穿过至少该第一绝缘层，与该转移晶体管的该漏极和源极区之一电连接；

c.在该第一导电层周边上方形成一柱状绝缘层，该柱状绝缘层具有至少一对应于漏极区上方区域的凹口；

d.在该柱状层表面形成一第二导电层；

e.在该第二导电层表面交替形成第一和第二膜层至少一次，该第二膜层由导电材料制成，而该第一膜层由绝缘材料制成；

f.对该第一、第二膜层与第二导电层构图，在该柱状绝缘层上方形成一开口；

g.在该开口侧壁形成一第三导电层；

h.对该第二膜层构图，分开位于该凹口中的该第二膜层，该第二导电层的周边大致连接在该第一导电层的周边，该第三导电层的一末端大致连接在该第二导电层的一末端，该第一、第二和第三导电层构成一类树干状导电层，而该第二膜层的一末端连接在该第三导电层的内表面上，构成一类树枝状导电层，且该第一、第二、第三导电层与该第二膜层构成该存储电容器的一存储电极；

i.去除该柱状层与该第一膜层；

i.在该第一、第二、第三导电层和该第二膜层暴露出的表面上，形成一电介质；以及

k.在该电介质层的一表面上，形成一第四导电层以构成该存储电容器的一相对电极。

2、如权利要求1所述的制造方法，其中该类树干状导电层包括一下树干部，电连接到该转移晶体管的该漏极和源极区之一上；一中树干部，从该下树干部的周边大致向上延伸出；以及一上树干部，大致以水平方向自该中树干部的另一末端往内延伸出。

3、如权利要求2所述的制造方法，其中该下树干部具有一似T型的剖面。

4、如权利要求2所述的制造方法，其中该下树干部具有一似U型的剖面。

5、如权利要求2所述的制造方法，其中该中树干部大致为中空筒状。

6、如权利要求1所述的制造方法，其中在步骤a之后和步骤b之前，还包括形成在该第一绝缘层上一蚀刻保护层的步骤。

7、如权利要求1所述的制造方法，其中在步骤a之后和步骤b之前，还包括下列步骤：先在该第一绝缘层上形成一蚀刻保护层，接着在该蚀刻保护层上形成一第二绝缘层；其中该步骤b还包括使该第一导电层穿过该第二绝缘层与该蚀刻保护层的步骤；且其中该步骤i还包括去除该第二绝缘层的步骤。