[发明专利]减少气体中废气量的清洁装置

说明书

本发明涉及一种清洁装置，且特别涉及一种减少气体中废气量的清洁装置。

半导体工艺中会产生大量含有废气的气体，在排放到大气以前必须先将里面的废气含量减少。废气通常会在半导体的制作过程中产生，废气比如氟碳化台物或PFC等会在装设于排气泵之后的一个清洁工具中进行处理。在下列的叙述中会以氟碳化合物作为一个废气的范例，因为氟碳化合物在半导体工艺中最常用到。

请参照图1，是公知的一种清洁装置。在图1中，包括氟碳化合物气体的废气会被该请洁装置10处理。氟碳化合物气体会经过废气入口12传送，为了分解氟碳化合物，必须在高温环境下进行，因此会在一个分叉的圆锥体18中进行燃烧。燃烧使用的天然气例如丙烷与氧气作用，其分别通过一个燃烧气体入口16与氧气入口14传送。在燃烧的火焰通过分叉的圆锥体18经过孔洞20而到达反应室22的过程中会产生具有副产物的气体。包括冷却电路26的冷却装置24会降低在清洁工具10中处理的气体的温度。冷却装置24除了冷却在燃烧中产生的副产物以外，还可以改进危险的酸性气体，像是在后面会提到的成分移除效果。在燃烧期间产生的副产物可以利用两种方式加以处理，有危险性的酸利用一种清洁液体28加以中和，此清洁液体通常是一种碱性的溶液。通过一个清洁装置30的剩余气体会被冷却装置24给冷却下来，然后通过一个水气消除器32，最后才排放到大气中。

利用上述的方法与公知的清洁工具首先有可能产生不完全的燃烧，当清洁功能处在一个缺陷的状态下时，或在燃烧期间有反常的现象发生时，就会产生燃烧不完全。清洁功能的缺陷状态可以定义为一种不理想的清洁效果，这会产生在燃烧时没有提供足够的热来分解大部分的废气，然后因为清洁工具10无法处理不完全燃烧中产生的副产物，所以就会产生二次污染。未处理的危险性废气可能因此被排放到大气中，而造成环境污染。

公知的洁装置10的另一个缺点就是必须使用大量的能量来分解氟碳化台物的气体成分。结果热废气会在燃烧过程中产生，接着需要大量的冷却剂与冷却能量来将燃烧中产生的气体与副产物冷却。换句话说，公知的清洁装置非常的耗费能量，因此需要改善公知的清洁工具以及至少克服上述的缺点和问题。

有鉴于此，本发明的主要目的之一在于提供一种减少废气含量的清洁装置，可以有效的分解废气。

为达到本发明的上述与其他目的，本发明提供一种减少气体中废气含量的清洁装置，包括一个废气注入管路、一个分叉圆锥物接在废气注入管路上端、一个氧气管及一个燃烧管以产生燃烧，借以分解气体中的废气，还有一个引发分解反应的装置，装设在废气注入管路上方位于分叉圆锥体前，一个冷却装置可以直接冷却清洁装置，以及处理在燃烧过程中产生的副产物的装置。

在上述可以减少气体中废气量的清洁装置中引发分解反应的装置会在废气注入管路内部产生含有废气成分的自由基，在燃烧过程中可以加速气体中废气的分解。燃烧会比公知的清洁装置消耗掉更少量的可燃物，且需要较低的冷却能量。

在本发明的实施例中，引发分解反应的装置为激光，顺着废气注入管路可以传送一个激光光束经过废气注入管路，而预先产生大量具有废气成分的自由基在其中流动。引发分解反应的装置也可以选择性的使用一个微波发生器。

为使本发明的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举一较佳实施例，并配合附图，作详细说明：

图面说明：

图1是一种公知的废气清洁装置；

图2与图3a至图3b是依照本发明较佳实施例的一种废气清洁装置。

附图标记说明：

10：清洁装置

12：废气入口

14：氧气入口

16：燃烧气体入口

18：圆锥体

20：孔洞

22：反应室

24：冷却装置

26：冷却电路

32：水气消除器

100：清洁装置

102：气体注入管路

104：氧气注入管路

106：燃烧管路

108：分叉圆锥体

110：产生分解反应的装置

112：窗口

114：一组镜子

116：微波发生器

118：冷却装置 

120：开口

122：反应室

实施例：

以下实施例配合附图详细说明本发明，其所应用的范例仅用以作为说明，并不用于限制本发明的范围。