[发明专利]缩小接触窗开口尺寸的微影工艺无效
| 申请号： | 01110318.3 | 申请日： | 2001-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN1379445A | 公开（公告）日： | 2002-11-13 |
| 发明（设计）人： | 王立铭;蔡高财 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/30 | 分类号： | H01L21/30;H01L21/027;G03F7/00 |
| 代理公司： | 北京集佳专利商标事务所 | 代理人： | 王学强 |
| 地址： | 台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 缩小 接触 开口 尺寸 工艺 | ||
1.一种缩小接触窗开口尺寸的微影工艺，包括涂布光阻于芯片上、曝光形成接触窗开口图案、显影接触窗图案的光阻，其特征在于：
该涂布光阻是负光阻；
曝光包括以下过程：
①曝光一第一线/间距光罩，以将该第一线/间距光罩的一第一图案投影在该负光阻上；
②曝光一第二线/间距光罩，以将该第二线/间距光罩的一第二图案投影在形成有该第一图案的该负光阻上，其中该第一图案与该第二图案于该负光阻上共同组成一接触窗开口图案。
2.根据权利要求1所述的缩小接触窗开口尺寸的微影工艺，其特征在于：该第一图案为相互交错排列且相互平行的线形构形。
3.根据权利要求1所述的缩小接触窗开口尺寸的微影工艺，其特征在于：该第二图案为相互交错排列且相互平行的线形构形。
4.根据权利要求1所述的缩小接触窗开口尺寸的微影工艺，其特征在于：该第一图案与该第二图案相互交错垂直，以形成该接触窗开口图案。
5.根据权利要求1所述的缩小接触窗开口尺寸的微影工艺，其特征在于：该第一光罩与该第二光罩的线距宽与尺寸取决于所欲形成的接触窗开口的长度及宽度。
6.一种微影工艺，用以定义一接触窗开口的图案，其适用于一涂布有一负光阻的芯片，包括曝光形成接触窗开口图案、显影该具有接触窗开口图案的负光阻，其特征在于：曝光包括以下过程
①将一第一光罩的一第一图案曝光投影于该负光阻上；
②将一第二光罩的一第二图案曝光投影于该负光阻上，其中该第一图案与该第二图案于该负光阻上共同组成一接触窗开口图案。
7.根据权利要求6所述的微影工艺，其特征在于：该第一光罩与该第二光罩包括线/间距光罩。
8.根据权利要求6所述的微影工艺，其特征在于：该第一图案为相互交错排列且相互平行的线形构形。
9.根据权利要求6所述的微影工艺，其特征在于：该第二图案为相互交错排列且相互平行的线形构形。
10.根据权利要求6所述的微影工艺，其特征在于：该第一图案与该第二图案相互交错垂直，以形成该接触窗开口图案。
11.根据权利要求6所述的微影工艺，其特征在于：该第一光罩与该第二光罩的线距宽与尺寸取决于所欲形成的一接触窗开口的长度及宽度。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
