[发明专利]一种晶片边缘的蚀刻机及其蚀刻方法有效
| 申请号: | 01110183.0 | 申请日: | 2001-03-28 |
| 公开(公告)号: | CN1377059A | 公开(公告)日: | 2002-10-30 |
| 发明(设计)人: | 刘岳良 | 申请(专利权)人: | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/302 | 分类号: | H01L21/302;H01L21/306 |
| 代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 程伟 |
| 地址: | 中国*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 晶片 边缘 蚀刻 及其 方法 | ||
1.一种晶片边缘的蚀刻机台,适用于对具有正面及背面的晶片的边缘进行蚀刻,而上述蚀刻机台包括:
一旋转夹盘,具有一工作台面,且上述工作台面设有一气体喷出凹槽及多个夹持销,晶片且上述夹持销带动上述晶片转动;以及
一蚀刻液导入装置,朝向上述工作台面而设置,用以导入蚀刻液至晶片背面;以及
一夹持臂,夹持晶片至工作台面和蚀刻液导入装置之间,使晶片正面朝向工作台面,晶片背面朝向蚀刻液导入装置;
其特征是:
上述工作台面还设有一蚀刻液回渗凹槽,而上述蚀刻液回渗凹槽设置于气体喷出凹槽的外周,且朝向位于所述晶片的边缘的正面,蚀刻液回渗至上述晶片的边缘的正面。
2.如权利要求1所述的晶片边缘的蚀刻机台,其特征是:其中具有二夹持臂。
3.如权利要求2所述的晶片边缘的蚀刻机台,其特征是:其中上述夹持销为圆柱体。
4.如权利要求3所述的晶片边缘的蚀刻机台,其特征是:其中具有六夹持销。
5.如权利要求4所述的晶片边缘的蚀刻机台,其特征是:其中上述旋转夹盘的转速为150-300rpm。
6.如权利要求5所述的晶片边缘的蚀刻机台,其特征是:其中上述气体为氮气。
7.一种晶片边缘的蚀刻机台的蚀刻方法,其特征是:对具有正面和背面的晶片的边缘进行蚀刻,且上述蚀刻方法包括下列步骤:
自上述气体喷出凹槽喷出气体;
使用上述夹持臂将上述晶片置于上述工作台面上方,且使上述正面朝向上述工作台面和使上述背面朝向上述蚀刻液体导入装置,上述晶片因上述气体喷向上述正面而与上述机台本体维持一既定距离;
使上述夹持销夹持上述晶片边缘,而带动上述晶片转动;
自上述蚀刻导入装置导入蚀刻液至上述背面,使上述蚀刻液经由上述晶片边缘而回渗至朝向上述蚀刻液回渗凹槽的上述正面的部分,同时上述气体仍持续自上述气体喷出凹槽喷出,以防止上述蚀刻液回渗至上述正面的中央部分。
8.如权利要求7所述的晶片边缘的蚀刻方法,其特征是:其中上述夹持销夹持上述晶片一第一既定时间后,放松上述晶片,并于一第二既定时间后再夹持上述晶片。
9.如权利要求8所述的晶片边缘的蚀刻方法,其特征是:其中具有二夹持臂。
10.如权利要求9所述的晶片边缘的蚀刻方法,其特征是:其中上述夹持销为圆柱体。
11.如权利要求10所述的晶片边缘的蚀刻方法,其特征是:具有六夹持销。
12.如权利要求11所述的晶片边缘的蚀刻方法,其特征是:旋转夹盘的转速为150-300rpm。
13.如权利要求12所述的晶片边缘的蚀刻方法,其特征是:所述的气体为氮气。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





