[发明专利]动态随机存储器单元的模块化集成电路的方法无效
| 申请号: | 01109535.0 | 申请日: | 2001-03-30 |
| 公开(公告)号: | CN1378273A | 公开(公告)日: | 2002-11-06 |
| 发明(设计)人: | 杨士贤;王是琦 | 申请(专利权)人: | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/8242 | 分类号: | H01L21/8242;H01L21/82;H01L27/108;H01L27/10 |
| 代理公司: | 北京集佳专利商标事务所 | 代理人: | 王学强 |
| 地址: | 台湾新竹科*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 动态 随机 存储器 单元 模块化 集成电路 方法 | ||
1.一种模块化集成电路的方法,其特征在于:包括:
执行一电路仿真器以设计一集成电路,其中该集成电路包括至少复数个深沟道DRAM单元的一个单元;以及
使用该电路仿真器来计算该些深沟道DRAM单元的每一个单元的一组输出参数,其中计算该组输出参数更包括使用一深沟道DRAM单元模型以作为该些深沟道DRAM单元的每一个单元。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于:更包括提供代表至少该些深沟道DRAM单元的一个单元的该组输出参数来当做一输出。
3.如权利要求1所述的方法,其特征在于:更包括根据该组输出参数以制造该集成电路。
4.如权利要求1所述的方法,其特征在于:其中该计算更包括定义该组输出参数所代表至少该些深沟道动态随机存储器(DRAM)单元的一个单元的该集成电路的性能资料。
5.如权利要求4所述的方法,其特征在于:其中该定义更包括定义性能资料是包含静态与动态的信息。
6.如权利要求5所述的方法,其特征在于:其中该定义更包括定义静态与动态的信息是包含所对应介于相邻的DRAM单元之间的干扰的噪声信息。
7.如权利要求1所述的方法,其特征在于:其中该计算更包括定义该组输出参数所代表至少该些深沟道动态随机存储器(DRAM)单元的一个单元的性能资料。
8.如权利要求1所述的方法,其特征在于:其中该计算更包括定义一耦合电容(CGC)串联于一写入线的一端点的该深沟道DRAM单元模型。
9.如权利要求1所述的方法,其特征在于:其中该计算更包括使用SPICE当做该电路仿真器。
10.一种模块化集成电路的装置,其特征在于:包括:
作为执行一电路仿真器以设计一集成电路的装置,其中该集成电路包括至少复数个深沟道DRAM单元的一个单元;以及
作为使用该电路仿真器以计算该些深沟道DRAM单元的每一个单元的一组输出参数的装置,其中计算该组输出参数的装置更包括使用一深沟道DRAM单元模型以作为该些深沟道DRAM单元的每一个单元。
11.如权利要求10所述的装置,其特征在于:更包括输出装置是用以提供代表至少该些深沟道DRAM单元的一个单元的该组输出参数当做一输出。
12.如权利要求10所述的装置,其特征在于:更包括根据作为计算的该装置所计算出的该组输出参数以作为制造该集成电路的装置。
13.如权利要求10所述的装置,其特征在于:其中作为计算的该装置更包括用以定义该组输出参数所代表至少该些深沟道动态随机存储器(DRAM)单元的一个单元的该集成电路的性能资料的装置。
14.如权利要求13所述的装置,其特征在于:其中用以定义的该装置更包括用以定义性能资料是包含静态与动态的信息的装置。
15.如权利要求14所述的装置,其特征在于:其中作为定义的该装置更包括用以定义静态与动态的信息是包含所对应介于相邻的DRAM单元之间的干扰的噪声信息的装置。
16.如权利要求10所述的装置,其特征在于:其中该计算更包括定义该组输出参数所代表至少该些深沟道动态随机存储器(DRAM)单元的一个单元的性能资料。
17.如权利要求10所述的装置,其特征在于:其中作为计算的该装置更包括用以定义包括一耦合电容(CGC)串联于一写入线的一端点的该深沟道DRAM单元模型的装置。
18.如权利要求10所述的装置,其特征在于:其中作为计算的该装置更包括用以使用SPICE当做该电路仿真器的装置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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