[发明专利]低压力衬里的浅沟隔离元件的制备方法无效
| 申请号： | 01109498.2 | 申请日： | 2001-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN1374689A | 公开（公告）日： | 2002-10-16 |
| 发明（设计）人： | 徐震球;钟振辉;林义雄 | 申请（专利权）人： | 矽统科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/76 | 分类号： | H01L21/76 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 过晓东 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 压力 衬里 隔离 元件 制备 方法 | ||
1、一种低应力衬里的浅沟隔离元件的制备方法，包含下列步骤：
(a)氧化一硅底材的表面以形成一垫氧化层；
(b)沉积一氮化硅帽盖于该垫氧化层上；
(c)于该氮化硅帽盖上涂布一层光阻，并经平版印刷蚀刻而于该硅底材中形成一浅沟渠；
(d)沉积一氮氧化硅于该浅沟渠内以形成衬里；及
(e)沉积一氧化层以填充该浅沟渠。
2、如权利要求1的制备方法，其中于步骤(e)中，该氧化层系利用高密度等离子化学气相沉积法所形成。
3、如权利要求1的制备方法，其中于步骤(e)之后，还包含一化学机械研磨的步骤，用以平坦化该氧化层表而且暴露出该氮化硅帽盖。
4、如权利要求1的制备方法，其中于步骤(d)中，该氮氧化硅的厚度介于50埃至200埃之间。
5、如权利要求1的制备方法，其中于步骤(e)中，该浅沟渠是经由一活性离子蚀刻而形成。
6、一种低应力衬里的浅沟隔离元件的制备方法，包含下列步骤：
(a)氧化一硅底材的表面以形成一垫氧化层；
(b)沉积一氮化硅帽盖于该垫氧化层上；
(c)于该氮化硅帽盖上涂布一层光阻，并经平版印刷蚀刻而于访硅底材中形成一浅沟渠；
(d)沉积一氧化硅/氮化硅/氧化硅于该浅沟渠内以形成衬里；及
(e)沉积一氧化层以填充该浅沟渠。
7、如权利要求6的制备方法，其中于步骤(e)中，该氧化层系利用高密度等离子化学气相沉积法所形成。
8、如权利要求6的制备方法，其中于步骤(e)之后，还包含一化学机械研磨的步骤，用以平坦化该氧化层表面且暴露出该氮化硅帽盖。
9、如权利要求6的制备方法，其中于步骤(d)中，该氧化硅/氮化硅/氧化硅的厚度介于50埃至200埃之间。
10、如权利要求6的制备方法，其中于步骤(c)中，该浅沟渠是经由一活性离子蚀刻而形成。
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