[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1．一种半导体装置，其特征在于：

该装置包括：半导体衬底；

制作在所述半导体衬底上的具有栅绝缘膜、栅电极及源·漏区域的MISFET；

制作在所述半导体衬底上的强电介质FET，该强电介质FET具有强电介质膜、制作在该强电介质膜上的控制栅电极及源·漏区域。

2．根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：强电介质FET具有栅绝缘膜、栅电极、层间绝缘膜、中间电极、接触材料；

强电介质FET中栅绝缘膜位于所述半导体衬底的源·漏区域，栅电极制作在该栅绝缘膜上，层间绝缘膜覆盖在该栅电极上，中间电极设在该层间绝缘膜上，接触材料将该中间电极与所述栅电极连接起来；

所述强电介质FET的强电介质膜是设在所述中间电极上。

3．根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于：所述强电介质FET的栅电极与所述MISFET的栅电极是由相同的导电膜形成的。

4．根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于：还具有连接所述中间电极的第1布线和连接所述控制栅电极的第2布线；

并在所述第1布线和第2布线间外加电压，引起所述强电介质膜极化。

5．根据权利要求1～3中任一权利要求所述的半导体装置，其特征在于，包括：

由多个所述强电介质FET配置构成的存储电路部和由多个所述MISFET配置构成的、用来控制所述存储电路部的控制电路部。

6．一种半导体装置的制造方法，其特征在于，该方法包含有以下制造工序：

(a)工序：是在半导体衬底上形成第1沟道型MISFET的栅绝缘膜及栅电极、第2沟道型MISFET的栅绝缘膜及栅电极、强电介质FET的栅绝缘膜及栅电极的制造工序；

(b)工序：是从所述第1或第2沟道型MISFET中任何一个MISFET及所述强电介质FET的栅极上方进行杂质离子注入用来形成源·漏的杂质离子注入工序；

(c)工序：是在所述第1或第2沟道型MISFET中，从另一方MISFET的栅极上方进行杂质离子注入用来形成源·漏的杂质离子注入工序；

(d)工序：是形成层间绝缘膜覆盖所述各FET的栅极，贯通所述层间绝缘膜、形成到达所述强电介质FET栅极的连接孔后，用导电材料填埋所述连接孔形成接触材料的接触材料形成工序；

(e)工序：是在所述层间绝缘膜上形成中间电极、强电介质膜、控制栅极的工序；中间电极与所述接触材料连接，强电介质膜紧接在该中间电极上面，控制栅极与所述中间电极相对，把强电介质膜夹在中间。

7．根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：该方法包含有以下制造工序：

(f)工序：是在所述(e)工序后，在所述层间绝缘膜上形成上层的层间绝缘膜的上层层间绝缘膜形成工序；

(g)工序：是在贯通所述上层的层间绝缘膜，分别形成到达所述强电介质FET的中间电极及控制栅电极的接触孔后，用导电材料填埋所述各接触孔并与所述中间电极和控制栅电极接触的第1、第2接触材料形成工序；

(h)工序：是在所述上层的层间绝缘膜上，分别形成与所述第1、第2接触材料连接的第1、第2布线形成工序。