[发明专利]低压输出同步整流管的自驱动电路无效
| 申请号： | 01105958.3 | 申请日： | 2001-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN1380739A | 公开（公告）日： | 2002-11-20 |
| 发明（设计）人： | 华桂潮;姜熠 | 申请（专利权）人： | 伊博电源(杭州)有限公司 |
| 主分类号： | H02M7/12 | 分类号： | H02M7/12;H02M7/217 |
| 代理公司： | 浙江杭州金通专利事务所有限公司 | 代理人： | 沈孝敬 |
| 地址： | 310053 浙江省杭州市滨*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 低压 输出 同步 整流管 驱动 电路 | ||
本发明涉及低压输出同步整流管的自驱动电路，属电源领域。特别是指集成电路的电源。采用肖特基二极管作为输出整流二极管，其正向导通压降约为0.4～0.6V，因此在低压大电流输出时，输出二极管上的导通损耗很大。由于低电压功率MOSFET的导通电阻很小，80年代初即陆续将其应用于低压输出的DC-DC开关电源，称为同步整流管(Synchronous Rectifier)。
同步整流管的驱动方式有外驱动(Externally-driven)和自驱动(Self-driven)两种。外驱动方式虽然运用起来比较灵活，但却增加了电路的复杂性与成本，并相应使电路的可靠性下降。因此在小功率DC-DC变换器中同步整流管的驱动电路通常采用自驱动方式。图1(A)给出了一种不对称半桥电路中常用的自驱动电路，图1(B)则是电路中各点主要的波形。其中，Vgs1，Vgs2为不对称半桥电路的主功率MOSFET的门极电压波形，Vp为变压器原边电压波形，Vgs3，Vgs4为同步整流管的门极电压波形。虽然这种自驱动电路十分简单，但它只适合于输出电压为3V到6V的DC-DC变换器。根据图1，可得同步整流管S3和S4的门极电压为：
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于伊博电源(杭州)有限公司，未经伊博电源(杭州)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/01105958.3/2.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
