[发明专利]多位沟道电容器

权利要求书

1、一个多位沟道电容器，包括：

一个在基片中的沟道，此沟道包括上和下两个区；

在沟道下区的侧壁有一个节点电介质层；

电介质层将下区分隔成第一个存储部分以及在第一个存储区之上的第二个存储部分。

2、权利要求1中描述的多位沟道电容器，还包括一个连接至该多位沟道电容器的晶体管，以形成一个存储器单元。

3、权利要求2中描述的多位沟道电容器，其中存储器单元被用于一个存储集成电路中。

4、权利要求3中描述的多位沟道电容器，还包括一个在沟道上部侧壁的绝缘环。

5、权利要求4中描述的多位沟道电容器，还包括包围在沟道下部的外极板。

6、权利要求5中描述的多位沟道电容器，其中外极板包括一个用掺杂物掺杂的扩散区域。

7、权利要求6中描述的多位沟道电容器，其中外沟道连接至一个参考电压。

8、权利要求2中描述的多位沟道电容器，还包括一个在沟道上部侧壁的绝缘环。

9、权利要求8中描述的多位沟道电容器，还包括一个包围沟道下部的外极板。

10、权利要求1中描述的多位沟道电容器，还包括一个在沟道上部侧壁的绝缘环。

11、权利要求10中描述的多位沟道电容器，还包括一个包围沟道下部的外极板。

12、权利要求1，2，3，4，5，8，9，10或11中描述的多位沟道电容器，其中电介质层在电压等于或高于一个特定值时处于导通状态。

13、权利要求12中描述的多位沟道电容器，其中一个特定的电压值将电容器的传感电压分为高和低两个传感电压区域，高传感电压范围是第一个存储部分的传感范围，而低传感电压范围是第二个存储部分的传感范围。

14、权利要求13中描述的多位沟道电容器，其中高和低传感电压范围进一步分为逻辑1和0电压层次来表示存储区中的数据。

15、权利要求14中描述的多位沟道电容器，其中特定电压值大约为传感电压值的1/2。

16、权利要求12中描述的多位沟道电容器，其中特定电压值大约为传感电压值的1/2。

17、权利要求13中描述的多位沟道电容器，其中特定电压值大约为传感电压值的1/2。

18、权利要求14中描述的多位沟道电容器，其中特定电压值大约为传感电压值的1/2。

19、一种制造多位沟道电容器的方法，包括：

    安装一个基片；

    在基片中蚀刻一个沟道，沟道有上和下两个区域；

    在沟道侧壁形成一个节点电介质；

    在沟道下区域形成第一个存储节点；

    在第一个存储节点形成一个电介质层；并且

    在沟道下区域的第一个存储节点之上形成第二个存储节点，第一个和第二个存储节点由电介质层分开。

20、权利要求19中的方法，还包括形成一个连至多位电容器的晶体管以形成一个存储器单元。

21、权利要求20中的方法，其中存储器单元用在一个存储集成电路中。

22、权利要求21中的方法，还包括在沟道上部安装一个绝缘环。

23、权利要求22中的方法，其中形成绝缘环包括：

    将绝缘材料沉淀在基片上，覆盖沟道上部的沟道侧壁和第二个存储节点的顶部；并且

    蚀刻绝缘材料以暴露第二个存储节点的顶部，而绝缘材料留在沟道侧壁。

24、权利要求23中的方法，还包括形成一个包围沟道下部的外极板。

25、权利要求24中的方法，其中外极板在形成节点电介质之前形成。

26、权利要求25中的方法，其中形成外板板包括将掺杂物向包围沟道下部的基片中扩散掺杂。

27、权利要求20中的方法，还包括在沟道上部形成一个绝缘环。