[发明专利]气凝胶基板及其制造方法

权利要求书

1.气凝胶基板，它包含气凝胶层、在气凝胶层的至少一个表面形成的中间层和在该中间层表面形成的功能性层，构成功能性层的物质不会渗透到气凝胶层内，功能性层形成于中间层表面。

2.如权利要求1所述的气凝胶基板，其特征在于，所述中间层可防止构成功能性层的物质渗透到气凝胶层中。

3.如权利要求2所述的气凝胶基板，其特征在于，所述气凝胶层是疏水性气凝胶层，所述中间层由疏水性气凝胶层表面经亲水化处理而形成的亲水性层和形成于该亲水性层表面的涂层构成，功能性层形成于该涂层表面。

4.如权利要求1所述的气凝胶基板，其特征在于，所述气凝胶层是疏水性气凝胶层，所述中间层是疏水性气凝胶层表面经亲水化处理而形成的亲水性层，功能性层形成于该亲水性层表面。

5.如权利要求2所述的气凝胶基板，其特征在于，所述中间层是用气相法形成的无机物层或有机物层。

6.如权利要求5所述的气凝胶基板，其特征在于，所述无机物层由选自SiO₂、SiN、SiON和TiO₂的无机物构成。

7.如权利要求2所述的气凝胶基板，其特征在于，所述中间层是由气凝胶层的至少一个表面经加热而形成的熔粘层。

8.如权利要求2所述的气凝胶基板，其特征在于，所述中间层是LB膜。

9.如权利要求2所述的气凝胶基板，其特征在于，所述中间层是无机层状化合物层。

10.如权利要求1-9中任一项所述的气凝胶基板，其特征在于，所述气凝胶是二氧化硅气凝胶。

11.如权利要求1-9中任一项所述的气凝胶基板，其特征在于，所述气凝胶层形成于板状构件之上。

12.如权利要求1-9中任一项所述的气凝胶基板，其特征在于，所述功能性层是导电性薄膜。

13.如权利要求1-9中任一项所述的气凝胶基板，其特征在于，所述功能性层是红外线反射性薄膜。

14.如权利要求1-9中任一项所述的气凝胶基板，其特征在于，所述功能性层是导光性薄膜。

15.如权利要求1-9中任一项所述的气凝胶基板，其特征在于，所述功能性层是透明导电性薄膜。

16.如权利要求1-9中任一项所述的气凝胶基板，其特征在于，所述功能性层是荧光体层。

17.气凝胶基板的制造方法，它是一种至少一个表面具有功能性层的气凝胶基板的制造方法，它包含

在气凝胶层的至少一个表面形成中间层的步骤，所述中间层用来防止构成功能性层的物质渗透到气凝胶层内；和

在中间层表面形成功能性层的步骤。

18.如权利要求17所述的气凝胶基板的制造方法，其特征在于，

形成中间层的步骤包含对疏水性气凝胶层的至少一个表面进行等离子体处理或UV臭氧处理、形成亲水性层的步骤；和

在亲水性层表面涂布成膜成分的水溶液和/或水分散液后干燥、形成涂层的步骤。

19.气凝胶基板的制造方法，它是一种至少一个表面具有功能性层的气凝胶基板的制造方法，它包含

对气凝胶层的至少一个表面进行等离子体处理或UV臭氧处理、形成亲水性层的步骤；和

在亲水性层表面涂布成膜成分的水溶液和/或水分散液后干燥、形成功能性层的步骤。

20.如权利要求17所述的气凝胶基板的制造方法，其特征在于，

形成中间层的步骤包含用气相法在气凝胶层的至少一个表面形成无机物层或有机物层的步骤。

21.如权利要求20所述的气凝胶基板的制造方法，其特征在于，所述气相法选自CVD法、溅射法和蒸镀法。

22.如权利要求17所述的气凝胶基板的制造方法，其特征在于，所述形成中间层的步骤包含将气凝胶层的至少一个表面加热、形成熔粘层的步骤。

23.如权利要求17所述的气凝胶基板的制造方法，其特征在于，所述形成中间层的步骤包含用L-B法在气凝胶层的至少一个表面形成薄膜的步骤。