[发明专利]透明导电层叠片,及其制造方法和采用透明导电层叠片的显示器件

权利要求书

1．透明导电层叠片，包含基本由In-Sn-O组成的晶体透明导电膜和热塑性聚合物薄膜构成的透明基片，其特征在于导电薄膜晶体部分(222)、或(440)晶面的X-射线衍射强度最大，且(晶面X-射线衍射强度与(222)晶面的X-射线衍射强度比[X_440/222]在0.2至2.5之间。

2．如权利要求1所述的透明导电层叠片，其特征在于(400)晶面X-射线衍射强度与晶体部分(222)晶面的X-射线衍射强度比[X_400/222]为0.2以下。

3．如权利要求2所述的透明导电层叠片，其特征在于透明导电膜电阻率为1.3×10^-4Ω·cm至4.5×10^-4Ω·cm。

4．如权利要求1所述的透明导电层叠片，其特征在于(440)晶面X-射线衍射强度与(222)晶面的X-射线衍射强度比[X_440/222]在0.3至1.2范围，并且透明导电膜电阻率为1.3×10^-4Ω·cm至3.0×10^-4Ω·cm。

5．如权利要求3所述的透明导电层叠片，其特征在于透明导电膜主要由氧化铟和含有重量比为2.5至25％的氧化锡构成。

6．如权利要求3所述的透明导电层叠片，其特征在于透明导电膜的厚度为10至300nm。

7．如权利要求6所述的透明导电层叠片，其特征在于热塑性聚合物薄膜基片的厚度为0.01至0.4mm。

8．如权利要求7所述的透明导电层叠片，其特征在于热塑性聚合物薄膜基片是聚碳酸酯薄膜。

9．如权利要求7所述的透明导电层叠片，其特征在于热塑性聚合物薄膜基片是一面或双面涂覆一层以上的覆盖层的涂覆膜。

10．如权利要求1所述的透明导电层叠片，包含有基本由In-Sn-O组成的晶体透明导电膜和透明基片，具有下列特征：(ⅰ)透明基片是0.01至0.4mm厚的透明热塑性聚合物薄膜。(ⅱ)制作在透明基片上的透明导电膜有以下特点：

(A)透明导电膜由金属氧化物构成，主要成分为氧化铟及含重量比为2.5至25％氧化锡，透明导电膜的厚度是10至300nm，

(B)晶体部分的(222)或(440)晶面X-射线衍射强度最大，且(440)晶面X-射线衍射强度与(222)晶面的X-射线衍射强度比[X_440/222]在0.2至2.5范围，理想的为0.3至1.2，(400)晶面X-射线衍射强度与(222)晶面的X-射线衍射强度比[X_400/222]在0至0.2范围，

(C)透明导电膜电阻率为1.3×10^-4Ω·cm至3.0×10^-4Ω·cm。

11．如权利要求10所述的透明导电层叠片，其特征在于全光透光率是80％以上。

12．利用基本由In-Sn-O组成的靶，用溅射方法在热塑性薄膜的透明基片上，制作透明导电膜，制造透明导电层叠片的方法，其特征在于本方法包括，

(a)在基片上制造透明导电膜，同时在溅射法的薄膜制作气氛中，氧分压与水分压的比基本为零或在10至1000之间，水分压与惰性气体分压的比是2.5×10^-6至7×10^-4。此外，薄膜制作中基片温度保持在80℃以下，

(b)随后，在80℃至150℃的含氧的气氛中，对在基片上制备有透明导电膜的层叠片进行热处理0.5至12小时。

13．如权利要求12所述的用于制造透明导电层叠片的方法，其特征在于在热处理前，透明导电膜的电阻率为4×10^-4至1×10^-3Ω·cm。

14．如权利要求12所述的用于制造透明导电层叠片的方法，其特征在于在热处理后，透明导电膜的电阻率比热处理前减少，达到1.3×10^-4至4.5×10^-4Ω·cm。