[发明专利]半导体层的形成方法

权利要求书

1．一种形成半导体层的半导体层形成方法，包括：

供应用于抑制半导体层中结构缺陷的结构缺陷抑制材料。

2．一种形成半导体层的半导体层形成方法，包括：

在将由之形成半导体层的材料层的表面上，供应用于抑制半导体层中结构缺陷的结构缺陷抑制材料。

3．一种形成半导体层的半导体层形成方法，包括：

在形成半导体层时，同时供应用于抑制半导体层中结构缺陷的结构缺陷抑制材料和将由之形成半导体层的材料。

4．一种形成半导体层的半导体层形成方法，包括：

第一步，在衬底上形成缓冲层；

第二步，在所说第一步形成的所说缓冲层的表面上，供应预定量用于抑制将形成的半导体层中结构缺陷的结构缺陷抑制材料；

第三步，在所说缓冲层的表面上，形成半导体层，所说缓冲层中所说结构缺陷抑制材料已在所说第二步供应到将要形成的所说半导体层上；及

使所说第三步中所说半导体层的膜厚度为1nm或更厚。

5．根据权利要求4的半导体层形成方法，还包括：

第四步，在所说第三步中形成的所说半导体层的表面上，供应预定量用于抑制将形成的半导体层中结构缺陷的结构缺陷抑制材料；

第五步，在其中所说结构缺陷抑制材料已在所说第四步供应到将要形成的所说半导体层的所说半导体层表面上形成所说半导体层；及

完成了所说第三步后，实施所说第四步和所说第五步一次或多次。

6．根据权利要求4的半导体层形成方法，其中在所说第二步和所说第四步中的至少任一步，采用激光束、电子束、原子团束(radical beam)、离子束或原子氢中的至少任一种。

7．根据权利要求5的半导体层形成方法，其中在所说第二步和所说第四步中的至少任一步，采用激光束、电子束、原子团束、离子束或原子氢中的至少任一种。

8．根据权利要求4的半导体层形成方法，其中在所说第二步和所说第四步中的至少任一步，供应预定量多种类型的用于抑制将形成的半导体层中结构缺陷的结构缺陷抑制材料。

9．根据权利要求5的半导体层形成方法，其中在所说第二步和所说第四步中的至少任一步，供应预定量多种类型的用于抑制将形成的半导体层中结构缺陷的结构缺陷抑制材料。

10．根据权利要求6的半导体层形成方法，其中在所说第二步和所说第四步中的至少任一步，供应预定量多种类型的用于抑制将形成的半导体层中结构缺陷的结构缺陷抑制材料。

11．根据权利要求7的半导体层形成方法，其中在所说第二步和所说第四步中的至少任一步，供应预定量多种类型的用于抑制将形成的半导体层中结构缺陷的结构缺陷抑制材料。

12．一种形成半导体层的半导体层形成方法，包括：

第一步，在衬底上形成缓冲层；

第二步，除了在供应用于形成将要形成的半导体层的材料之前，结束供应用于抑制将要形成的半导体层中的结构缺陷的结构缺陷抑制材料之外，在所说第一步形成的所说缓冲层的表面上，同时开始供应用于形成要形成的半导体层的材料，及供应用于抑制将要形成的半导体层中的结构缺陷的结构缺陷抑制材料；及

使所说第二步中所说半导体层的膜厚度为1nm或更厚。

13．根据权利要求12的半导体层形成方法，还包括：

第三步，除了在供应用于形成将要形成的半导体层的材料之前，结束供应用于抑制将要形成的半导体层中的结构缺陷的结构缺陷抑制材料之外，在所说第二步形成的所说缓冲层的表面上，同时开始供应用于形成要形成的半导体层的材料，及供应用于抑制将要形成的半导体层中的结构缺陷的结构缺陷抑制材料；和

完成所说第二步后，至少实施所说第三步一次。

14．根据权利要求12的半导体层形成方法，其中在所说第二步和所说第三步中的至少任一步，采用激光束、电子束、原子团束、离子束或原子氢中的至少一种。

 15．根据权利要求13的半导体层形成方法，其中在所说第二步和所说第三步中的至少任一步，采用激光束、电子束、原子团束、离子束或原子氢中的至少一种。