[发明专利]保护层的制造方法

权利要求书

1.一种保护层的制造方法，包括下列步骤：

提供一基底，该基底上形成介电层；

在介电层上形成一衬层；

在衬层上形成一焊垫；

在该半导体基底上形成一保护层；

限定该保护层，直到暴露焊垫；以及

在焊垫上进行导线接合工艺。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，该衬层包括含氟玻璃。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，该衬层包括氮化硅。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，该介电层与该衬层的厚度比为10∶1。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，该衬层还包括一多层堆叠结构。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，该衬层以化学气相沉积法形成。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，该基底上形成的该保护层包括磷硅酸玻璃与氮化硅。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，该导线接合工艺中的一导线包括金属金。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，在衬层上形成该焊垫的步骤还包括：

在该衬层上形成一导电层；以及

限定该导电层，形成该焊垫。

10.一种保护层的制造方法，适用于一半导体基底上，其中该半导体基底上已形成有一硅酸盐类层，该制造方法包括以下步骤：

在该硅酸盐类层上形成一含氟玻璃层；

在该含氟玻璃层上形成一焊垫；

在该半导体基底上形成保护层；

限定该保护层，直到暴露出该焊垫；以及

进行一导线接合工艺。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，该介电层与该衬层的厚度比为10∶1。

12.根据权利要求10所述的方法，其中，该衬层还包括一多层堆叠结构。

13.根据权利要求10所述的方法，其中，该衬层以化学气相沉积法形成。

14.根据权利要求10所述的方法，其中，该基底上形成的该保护层包括磷硅酸玻璃与氮化硅。

15.根据权利要求10所述的方法，其中，该导线接合工艺中的一导线包括金属金。

16.根据权利要求10所述的方法，其中，在衬层上形成该焊垫的步骤还包括：

在该衬层上形成一导电层；以及

限定该导电层，形成该焊垫。